TB0640M-13-F
TB0640M-13-F,可控硅整流器,品牌:Diodes,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:58 V; 最大保持电流:800 mA; 浪涌电流额定值:30 A; 重复峰值正向阻断电压:58 V; 峰值通态电压:3.5@1A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 to ...
TB0640L-13-F
TB0640L-13-F,可控硅整流器,品牌:Diodes,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:58 V; 最大保持电流:800 mA; 浪涌电流额定值:15 A; 重复峰值正向阻断电压:58 V; 峰值通态电压:3.5@1A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 to ...
TB0640H-13-F
TB0640H-13-F,可控硅整流器,品牌:Diodes,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:58 V; 最大保持电流:800 mA; 浪涌电流额定值:50 A; 重复峰值正向阻断电压:58 V; 峰值通态电压:3.5@1A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 to ...
T930N36TOFVTHOSA1
T930N36TOFVTHOSA1,可控硅整流器,品牌:Infineon,封装:Tray,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:3600 V; 最大保持电流:500 mA; 额定平均通态电流:1340 A; 浪涌电流额定值:19500 A; 重复峰值正向阻断电压:3600 V; 峰值通态电压:2.7@3600A V;...
T850H-6T
T850H-6T,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:75 mA; 浪涌电流额定值:84 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.5@11A V; 重复峰值断态电流:0.005 ...
T850H-6I
T850H-6I,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3 Isolated,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:75 mA; 浪涌电流额定值:84 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.5@11A V; 重复峰值断态...
T850H-6G-TR
T850H-6G-TR,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:75 mA; 浪涌电流额定值:84 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.5@11A V; 重复峰值断态电流:0.005 ...
T850H-6G
T850H-6G,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:75 mA; 浪涌电流额定值:84 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.5@11A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA;...
T835T-8T
T835T-8T,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:40 mA; 浪涌电流额定值:63 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.55@11.3A V; 重复峰值断态电流:0.0...
T835T-8FP
T835T-8FP,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220FPAB-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:40 mA; 浪涌电流额定值:63 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.55@11.3A V; 重复峰值断态电流:...
T835T-6I
T835T-6I,可控硅整流器,品牌:ST Micro,封装:TO-220AB-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:40 mA; 浪涌电流额定值:63 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.6@11.3A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极...
T835T-6I
T835T-6I,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:40 mA; 浪涌电流额定值:63 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.6@11.3A V; 重复峰值断态电流:0.00...
T835H-6T
T835H-6T,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:35 mA; 浪涌电流额定值:84 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.5@11A V; 重复峰值断态电流:0.005 ...
T835H-6I
T835H-6I,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3 Insulated,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:35 mA; 浪涌电流额定值:84 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.5@11A V; 重复峰值断...
T835H-6G-TR
T835H-6G-TR,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:35 mA; 浪涌电流额定值:84 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.5@11A V; 重复峰值断态电流:0.005 ...
T835H-6G
T835H-6G,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:35 mA; 浪涌电流额定值:84 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.5@11A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA;...
T835-800B-TR
T835-800B-TR,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:35 mA; 浪涌电流额定值:84 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.55@11A V; 重复峰值断态电流:0.005...
T835-800B
T835-800B,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:35 mA; 浪涌电流额定值:84 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.55@11A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA...
T835-600H
T835-600H,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:IPAK-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:35 mA; 浪涌电流额定值:84 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.55@11A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA...
T835-600G-TR
T835-600G-TR,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:35 mA; 浪涌电流额定值:84 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.55@11A V; 重复峰值断态电流:0.00...