SMAJ130CAE3
SMAJ130CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 130V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.4 A; 最大反向漏电...
SMBJ20CA
SMBJ20CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 18.5 A; 最大反向漏电流: ...
SMBJ16AHE3
SMBJ16AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 16V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 23.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
1V5KE16CA
1V5KE16CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13.6V 1.5KW,品牌:Fairchild,封装:DO-201AE,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 67 A; 最大反向漏电...
TPD3E001DRLRG4
TPD3E001DRLRG4,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-5,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:5; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:3; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±1...
P6SMB62CAT3G
P6SMB62CAT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 53V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.1 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳...
NUP1301U,115
NUP1301U,115,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:30@Contact Disc/10@HBM/0.4@MM kV...
BZW04-15B-E3
BZW04-15B-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15.3V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 16 A; 最大反向漏电流:...
1N6143A
1N6143A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.4V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 96.2 A; 最大反向漏电流:...
SMCJ43E3
SMCJ43E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 43V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.6 A; 最大反向漏...
P6KE350A
P6KE350A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 300V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 1.3 A; 最大反向漏电流: 5...
1.5KE56CA
1.5KE56CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 47.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 19.5 A; 最大反向漏...
PESD3V3S5UD,115
PESD3V3S5UD,115,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:12 V; 每芯片单元数目:5; ESD保护电压:30@Contact Disc/10@HBM kV; 最大工...
3KASMC10AHE3_A/H
3KASMC10AHE3_A/H, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 3000W,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 177 A; 最大反向漏电...
RSB5.6SMT2N
RSB5.6SMT2N,稳压型ES抑制器,品牌:Rohm,封装:EMD-2,参数:类型:Zener; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; 最大漏电流:1 uA; 电容值:50(Typ) pF; 最低工作温度:-55 ℃; 最大工作温度:150 ℃; 安装方式:Surface ...
SMAJ14AHE3
SMAJ14AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 14V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 17.2 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
DF3S6.8ECT(TPL3)
DF3S6.8ECT(TPL3),ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Toshiba,封装:CTS-3,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Dual; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5 V...
SMBJ6.0CA-TR
SMBJ6.0CA-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6V 600W,品牌:ST,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 290 A; 最大反向漏电流: 20 uA; 最大钳...
5KP22CE3
5KP22CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 127 A; 最大反向漏电流: 1...
P4SMA400A-E3
P4SMA400A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 342V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 0.55 A; 最大反向漏电流: 1...