SMBJ33E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 10.2 A; 最大反向漏电流...
1N6164AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 62.2V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.3 A; 最大反向漏...
SMBJ11A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
SZP6SMB200AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 171V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.2 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
SMP36A-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 400W,品牌:Vishay,封装:2SMP,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 6.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SMBJ36CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A; 最大反向漏电流: 5 u...
SMLJ6.5CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.5V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 243.9 A; 最大反向漏...
PTVS17VP1UP,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 17V 600W,品牌:NXP,封装:SOD-128,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 21.7 A; 最大反向漏电流...
TPSMC33AHE3_A/I, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28.2V 1500W,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 32.8 A; 最大反向...
SMCJ6071E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 165V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.9 A; 最大反向漏...
JANTX1N6155A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 27.4V 1.5KW,品牌:Semtech,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 30.1 A; 最大反向漏电...
MAX3204EEBT+T,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Maxim,封装:UCSP-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc...
PTVS3V3S1UTR,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 3.3V 400W,品牌:NXP,封装:SOD-123W,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 43.8 A; 最大反向...
TMPG06-20HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 16.2V 400W,品牌:Vishay,封装:2Case MPG06,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 13.7 A; 最...
SMAJ110CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 110V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.8 A; 最大反向漏电...
TPD4E001DPKR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:USON-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±15...
TPSMB8.2AHE3T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.02V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 49.6 A; 最大反向漏电流:...
SMCJ6037AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 124 A; 最大反向漏电...
SMBJ33CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 11.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
1.5KA16HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12.9V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 63.8 A; 最大反向漏电流...
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