RCLAMP0542T.TCT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SLP-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:15 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±18@Air Gap/±12@Contact Dis...
SMCJ40A-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.3 A; 最大反向漏电流: 1 ...
1.5KE16CA-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13.6V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 67 A; 最大反向漏电流: ...
1.5KE27CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 23.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 40 A; 最大反向漏电流: ...
5KP48CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 48V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 65 A; 最大反向漏电流: 1...
SMAJ40AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 6.2 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SMCJ28CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 30 A; 最大反向漏电流:...
SMLJ5.0CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 326 A; 最大反向漏电流:...
SMBJ17CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 21.7 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
BZG04-36TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 36V 300W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 4.9 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 60.7 V; 最大反向关态电压: 36 V...
P4KE51AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 43.6V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 5.7 A; 最大反向漏电流...
P6KE68CA-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58.1V 600W,品牌:Diodes,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.5 A; 最大反向漏电流: 5 u...
SMA6J85A-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 85V 600W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 22.5 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA;...
SMAJ24CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 24V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
1.5KE24ARL4G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20.5V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 45 A; 最大反向...
1N6103AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 44.6 A; 最大反向漏电流...
SMCJ6038AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 112 A; 最大反向...
SMBG16A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 16V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 23.1 A; 最大反向漏电流: 1 u...
PESD5V0S2UQ,115,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:SOT-663-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional|Bi-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:30@Contact D...
1.5KE39A-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33.3V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 28 A; 最大反向漏电流:...
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