SMBJ110AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 110V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.4 A; 最大反向漏电流: 1 u...
BZW04-6V4B-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.4V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 35.4 A; 最大反向漏电...
SMBJ11AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...
CD214C-T18ALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 1.5KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 51.4 A; 最大反...
SMBG10AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 35.3 A; 最大反向漏电流: 5 u...
SMBG33CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 11.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
P4SMA33A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28.2V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 8.8 A; 最大反向漏电流: 1 ...
P6KE6V8CA-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.8V 600W,品牌:Diodes,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 57 A; 最大反向漏电流: 2000...
CD214A-T78ALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 78V 400W,品牌:Bourns,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 3.2 A; 最大反向漏电...
LCDA15C-1.TCT, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Dual Uni-Dir 15V 500W,品牌:Semtech,封装:4SOT-143,参数:配置: Dual; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 15 A; 最大反向漏电流: 5...
CM1213A-01SO,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:10 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.5 V;...
SMAJ60CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 60V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 4.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
SMCG64CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 64V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 14.6 A; 最大反向漏电流: 1 ...
1N6142, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.6V 1.5KW,品牌:Semtech,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 98.7 A; 最大反向漏电流: 100 ...
SMCJ5.0CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 156.2 A; 最大反向漏...
PESD3V3S5UD,115,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:12 V; 每芯片单元数目:5; ESD保护电压:30@Contact Disc/10@HBM kV; 最大工...
SMCJ26CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 26V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 35.6 A; 最大反向漏电流: 1 u...
1N5654A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 64.1V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 14.6 A; 最大反向漏电流...
1N6154A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 25.1V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 32.8 A; 最大反向漏电流...
CG0402MLU-24G,ESD静电抑制器,品牌:Bourns,封装:2-Pin Case 0402,参数:引脚数量:2; 最大钳位电压:25(Typ) V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±15(Min)@Air Gap/±8(Min)@Contact Disc kV; 最大工作电压:24(Typ) V; ...
产品展示
Product show