• 登录
社交账号登录

P6SMB27AHE3

P6SMB27AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 23.1V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 16 A; 最大反向漏电流: 1 u...

SMB8J15CA-E3

SMB8J15CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15V 800W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 800 W; 最大峰值脉冲电流: 32.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA...

1N6103AUS

1N6103AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 44.6 A; 最大反向漏电流...

SMCJ6060E3

SMCJ6060E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 60V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.9 A; 最大反向漏...

P6SMB16CAT3G

P6SMB16CAT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13.6V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 27 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大...

RCLAMP2502L.TBT

RCLAMP2502L.TBT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SO-8,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:25@Air Gap/15@Contact Disc k...

RF2011-000

RF2011-000,ESD静电抑制器,品牌:TE,封装:CSP-2,参数:引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±16@Air Gap/±10@Contact Disc kV; 最大工作电压:6 V; 最大漏电流:1 uA; 电容值:5 pF; 最低工作温度:...

1N6375-E3

1N6375-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向漏电流: 2 u...

SMCJ5.0CE3

SMCJ5.0CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 156.2 A; 最大反向漏...

PTVS24VS1UR,115

PTVS24VS1UR,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 400W,品牌:NXP,封装:SOD-123W,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A; 最大反向漏电...

CD214B-T6.0CALF

CD214B-T6.0CALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6V 600W,品牌:Bourns,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 58.3 A; 最大反向漏电流: 16...

SMAJ150CE3

SMAJ150CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 150V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 1.9 A; 最大反向漏电流...

SMAJ64CE3

SMAJ64CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 64V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.4 A; 最大反向漏电流: ...

SMA5J12CA-M3

SMA5J12CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA...

SMA5J12A-E3

SMA5J12A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.1 A; 最大反向漏电流: 1 u...

SMBG7.0CAHE3

SMBG7.0CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 50 A; 最大反向漏电流: 400 uA...

1.5KE110CA-B

1.5KE110CA-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 94V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.9 A; 最大反向漏电流: ...

SMBG10AHE3

SMBG10AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 35.3 A; 最大反向漏电流: 5 u...

1N6146A

1N6146A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11.4V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 71.4 A; 最大反向漏电流...

1.5SMC27AHE3

1.5SMC27AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 23.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 40 A; 最大反向漏电流: ...