SM16LC08CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-16,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 16....
B72500D50H160,ESD静电抑制器,品牌:EPCOS(TDK),封装:SOD-523-2,参数:类型:CeraDiode; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.6 V; 最...
B72500D 160H 60,ESD静电抑制器,品牌:EPCOS(TDK),封装:CSMD-2,参数:类型:CeraDiode; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:290 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大...
SMAJ10CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 23.5 A; 最大反向漏电流: 2 uA;...
P6KE130CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 111V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.4 A; 最大反向漏电流: 5 ...
1N6060A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 64V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 14.6 A; 最大反向漏电流: 5 ...
SMCJ5633A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.55V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 103 A; 最大反...
SMA5J5.0CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 54.3 A; 最大反向漏电流: 1600...
SMCJ45A-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 45V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 20.6 A; 最大反向漏电流: 1 ...
SMCJ70CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 70V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.3 A; 最大反向漏电流: 5...
SMAJ36CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36V 400W,品牌:Diodes,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 6.9 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
D1213A-01W-7,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:10(Typ) V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact...
1.5KE15CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 70.8 A; 最大反向漏电流...
SMAJ9.0AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 26 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...
SMCJ160A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 160V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向漏电流:...
1N5613, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 175V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.7 A; 最大反向漏电流:...
SMCJ150A-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 150V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.2 A; 最大反向漏电流: 1...
1N6172AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 136.8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.1 A; 最大反向漏...
SMCG10CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 88.2 A; 最大反向漏电流: 10...
SA54A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 54V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.7 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
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