1N6107, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.4V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 32 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SMLJ6.5AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.5V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 267.9 A; 最大反...
SMBJ12A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 30.2 A; 最大反向漏电流: 5 ...
SMBJ14CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 14V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 23.3 A; 最大反向漏电流:...
SMCJ13AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 69.7 A; 最大反向...
SMDA12CDR2G,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:SOIC-8 N,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:24 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大...
CG0805MLA-5.5ME,ESD静电抑制器,品牌:Bourns,封装:8-Pin Case 0805,参数:引脚数量:8; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:28 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.5...
CD214C-T13ALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13V 1.5KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 69.7 A...
SMCJ5641AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18.8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 49 A; 最大...
5KP64E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 64V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 44 A; 最大反向漏电流: 1...
P6KE33ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28.2V 600W,品牌:ON,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 13.2 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
SMLJ58E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 39.2 A; 最大反向漏电流...
SMBJ40A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 9.3 A; 最大反向漏电流: ...
1SMA54AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 54V 400W,品牌:ON,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 4.6 A; 最大反向漏电流: 2.5 uA; 最...
5KP160CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Thr...
1N6160A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 42.6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.5 A; 最大反向漏电流...
D1213A-04SO-7,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Diodes,封装:SOT-26-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:10(Typ) V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact...
SMCJ6.5CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 122 A; 最大反向漏...
SMA6J15A-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 600W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 123 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; ...
SMCJ6.5CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 133.9 A; 最大...
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