SMLJ6.5CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.5V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 243.9 A; 最大反向漏...
SM6T36A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30.8V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 62 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SMBJ60CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 60V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.2 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
SMBJ300E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Su...
SM15T6V8CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.8V 1.5KW,品牌:ST,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 746 A; 最大反向漏电流: 500 uA; ...
SMBJ6.5AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.5V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 53.6 A; 最大反向...
1N6130A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 76V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 3.6 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SA45AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 45V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SMCG22CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 42.3 A; 最大反向漏电流: 1 ...
TPSMB39HE3T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 31.6V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 10.6 A; 最大反向漏电流: 1...
P6KE6V8A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.8V 600W,品牌:ST,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 298 A; 最大反向漏电流: 10000 uA...
1N5660AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 111V 1500W,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.4 A; 最大反向漏电流...
LC70A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 70V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.3 A; 最大反向漏电流: 10...
SMB8J26CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 26V 800W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 800 W; 最大峰值脉冲电流: 19 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
P4SMA24AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20.5V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SM6S36AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 4.6KW,品牌:Vishay,封装:DO-218AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 4600 W; 最大峰值脉冲电流: 79 A; 最大反向漏电流:...
SM6T42CAY, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36V 600W,品牌:ST,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 52 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大钳位电...
MMAD1103E3/TR13,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Microsemi,封装:SOIC-14,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:14; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:8; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电...
DFLT10A-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 1.125KW,品牌:Diodes,封装:2PowerDI 123,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1125 W; 最大峰值脉冲电流: 13.2 A; 最...
SMCJ20CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 46.3 A; 最大反向漏电流: 1 u...
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