SM6S10AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 4.6KW,品牌:Vishay,封装:DO-218AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 4600 W; 最大峰值脉冲电流: 271 A; 最大反向漏电流...
SMDA15C-8E3/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 8 Bi-Dir 15V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-14,参数:配置: Array 8; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向...
TPC6.8HM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:3SMPC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 139 A; 最大反向漏电流: 1...
SMAJ75A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 75V 400W,品牌:Bourns,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 3.3 A; 最大反向漏电流: 5 u...
SMCG22AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 22V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 42.3 A; 最大反向漏电流: 1...
SMLJ78CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 78V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 22.8 A; 最大反向漏电流: ...
SMCJ16E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 16V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 52.1 A; 最大反向漏...
SMAJ170A-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 170V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 1.09 A; 最大反向漏电流: 1 ...
SM6T10CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.55V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 215 A; 最大反向漏电流: 20 u...
SMBJ170E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 170V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2 A; 最大反向漏电流:...
SMLJ17CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17V 3KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 106.6 A; 最大反向漏电...
SMCJ22CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 42.3 A; 最大反向漏电流: 1 u...
1.5KE33CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28.2V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 32.8 A; 最大反向漏电流...
SMAJ120AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 120V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.6 A; 最大反向漏...
SMBG45AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 45V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 8.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SMBJ120CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 120V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.8 A; 最大反向漏电流...
SMAJ7.0AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 41.7 A; 最大反向漏电...
SRDA05-6.TBT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SOIC-8,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:6; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc K...
P4SMA350AHE3_A/I, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 300V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 0...
SMBJ15CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 24 A; 最大反向漏电流: 5 uA;...
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