P6KE11AHE3
P6KE11AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9.4V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 38.5 A; 最大反向漏电流: 5...
P6KE11CA-E3
P6KE11CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9.4V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 38.5 A; 最大反向漏电流: 10...
1.5SMC510AHE3_A/I
1.5SMC510AHE3_A/I, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 434V 1500W,品牌:Vishay,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流...
P6KE62A-T
P6KE62A-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 53V 600W,品牌:Diodes,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.1 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
TVS512
TVS512, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 12V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case B-(WT),参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.8 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 21 V; 最大反向关态电...
SMBJ16CAHE3
SMBJ16CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 23.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SMBJ150A-E3
SMBJ150A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 150V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.5 A; 最大反向漏电流: 1 u...
HSP061-8M16
HSP061-8M16,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:STMicroelectronics,封装:UQFN-16 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:16; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:14(Typ) V; 每芯片单元数目:8; ESD保护电压:20@Air Ga...
SMAJ70CA-TR
SMAJ70CA-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 70V 400W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 16 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大钳...
1.5SMCJ180CA_R1_0000
1.5SMCJ180CA_R1_00001, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 180V 1.5KW,品牌:Panjit,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.1 A; 最大...
SMBJ8.0AE3
SMBJ8.0AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 44.1 A; 最大反向漏电...
PRTR5V0U2F,115
PRTR5V0U2F,115,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:XSON-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:8@Contact Disc/10@HBM kV; 最大工作电压:5.5 V; 最大漏电...
SA16A-E3
SA16A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 16V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.2 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SZMMBZ9V1ALT3G
SZMMBZ9V1ALT3G,稳压型ES抑制器,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:Zener; 配置:Dual Common Anode; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:14 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:16@HBM|400@MM kV; 最大工...
1N6173A
1N6173A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 152V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.5 A; 最大反向漏电流: ...
RSB6.8STE61
RSB6.8STE61,ESD静电抑制器,品牌:Rohm,封装:EMD-2,参数:引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; 最大工作电压:7.82 V; 最大漏电流:0.5 uA; 电容值:30 pF; 最低工作温度:-55 ℃; 最大工作温度:150 ℃; 安装方式:Surfac...
SMBJ54A-13-F
SMBJ54A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 54V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.9 A; 最大反向漏电流: 5 u...
PJQA6V8-R2-00001
PJQA6V8-R2-00001,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Panjit,封装:SOT-23-6,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Array 5; 引脚数量:6; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:5; 最大工作电压:5 V; 最大漏电流:1 uA; 电容值:240 pF...
SMBJ8.0CAHE3
SMBJ8.0CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 44.1 A; 最大反向漏电流: 100 u...
SMBJ30A-E3
SMBJ30A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 12.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA...