MAX3206EETC,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Maxim,封装:TQFN-12 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:12; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:6; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact D...
SMBJ26CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 26V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 14.2 A; 最大反向漏电流: 5 u...
1SMC20AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 1.5KW,品牌:ON,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 46.3 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...
ESDALC6V1-5P6,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-666-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:14 V; 每芯片单元数目:5; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8...
MPT-12, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 70 A; 最大反向漏电流: 2 u...
SMBJ85AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 85V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 4.4 A; 最大反向漏电流...
SMCJ51CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 51V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 18.2 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMCJ11CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 82.4 A; 最大反向漏电流: 5 u...
1.5SMC540A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 459V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.03 A; 最大反向漏电流...
SMBJ70AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 70V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
BZG04-100TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 100V 300W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 1.8 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 167 V; 最大反向关态电压: 100...
1.5KE33A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28.2V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 32.8 A; 最大反向漏电...
STIEC45-30AS,ESD静电抑制器,品牌:STMicroelectronics,封装:DO-214AB-2,参数:引脚数量:2; 最大钳位电压:55 V; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc/25@HBM KV; 最大工作电压:30 V; 最大漏电流:0.2 uA; 最低工作温度...
LC13, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 63 A; 最大反向漏电流: 10 uA...
SMCJLCE15A/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 61 A; 最...
SMAJ7.5A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.5V 400W,品牌:Diodes,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 31 A; 最大反向漏电流: 10...
SMBJ36CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SMCJ22A-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 22V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 42.3 A; 最大反向漏电流: 1 ...
SMCJ6050AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 25V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 36 A; 最大反向漏电...
B72590D 160H 60,ESD静电抑制器,品牌:EPCOS(TDK),封装:CSMD-2,参数:类型:CeraDiode; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:290 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大...
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