SMCJ5.0CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 163 A; 最大反向漏电流: 2000...
P6SMB300A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 256V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 1.45 A; 最大反向漏电流: 1...
SMBJ20A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 18.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
USBLC6-2P6,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-666-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:17 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:15@Air Gap/15@Con...
SMBJ17CA-HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 21.7 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SMBJ64CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 64V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.3 A; 最大反向漏电流: ...
1.5KE300A-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 256V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: ...
SMBJ100CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 100V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.7 A; 最大反向漏电...
SMAJ10E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 26.6 A; 最大反向漏电流...
SZP6SMB91AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Direction 77.8V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 4.8 A; 最大反向漏电流...
CD214A-T24CALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 24V 400W,品牌:Bourns,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A; 最大反向漏电...
5KP33CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 85 A; 最大反向漏电流: 10...
P4KE110AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 94V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 2.6 A; 最大反向漏电流:...
SMCJ5662AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 136V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.8 A; 最大...
SMBJ13A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 27.9 A; 最大反向漏电流:...
CD143A-SR12,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Bourns,封装:SOT-143-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:30 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc ...
P4KE13A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11.1V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 22 A; 最大反向漏电流:...
1.5SMC15CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 70.8 A; 最大反向漏电流:...
D1213A-02S-7,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Diodes,封装:SOT-353-5,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:5; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:10(Typ) V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact...
PACDN006MR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:MSOP-8,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:13 V; 每芯片单元数目:6; ESD保护电压:±15(Min)@Air Gap/±8(Min)@Contact Dis...
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