VS-ST300C20L0
VS-ST300C20L0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:2000 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:560 A; 浪涌电流额定值:8380 A; 重复峰值正向阻断电压:2000 V; 峰值通态电压:2.18@1635A V; ...
BT131-800D,412
BT131-800D,412,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-92-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:10 mA; 浪涌电流额定值:13.7 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.5@1.4A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电...
TIC126D-S
TIC126D-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:40 mA; 额定平均通态电流:7.5 A; 浪涌电流额定值:100 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.4@12A V; 重复峰值断态电流:2 mA...
T2322BG
T2322BG,可控硅整流器,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:200 V; 最大保持电流:30 mA; 浪涌电流额定值:25 A; 重复峰值正向阻断电压:200 V; 峰值通态电压:2.2@10A V; 重复峰值断态电流:0.01 mA; 最大栅极触发电压:2.2 V; ...
BTA06-600SRG
BTA06-600SRG,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3 Insulated,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:25 mA; 浪涌电流额定值:63 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.65@8.5A V;...
TB3500M-13-F
TB3500M-13-F,可控硅整流器,品牌:Diodes,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:320 V; 最大保持电流:800 mA; 浪涌电流额定值:30 A; 重复峰值正向阻断电压:320 V; 峰值通态电压:3.5@1A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 t...
VS-ST280CH06C1
VS-ST280CH06C1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:500 A; 浪涌电流额定值:7500 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.35@1000A V; 重...
T435-800W
T435-800W,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:ISOWATT220AB-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:35 mA; 浪涌电流额定值:31 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.56@5.5A V; 重复峰值断态电流...
BT234X-800D,127
BT234X-800D,127,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-220F-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:6 mA; 浪涌电流额定值:38.5 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.5@6A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电...
TB1300H-13-F
TB1300H-13-F,可控硅整流器,品牌:Diodes,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:120 V; 最大保持电流:800 mA; 浪涌电流额定值:50 A; 重复峰值正向阻断电压:120 V; 峰值通态电压:3.5@1A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 t...
TISP4C025L1NR-S
TISP4C025L1NR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SOT-23-5,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:16 V; 最大保持电流:50(Typ) mA; 重复峰值正向阻断电压:16 V; 重复峰值断态电流:0.001 mA; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Surface M...
MKP1V130RLG
MKP1V130RLG,可控硅整流器,品牌:ON,封装:DO-41-2,参数:类型:SIDAC; 重复峰值反向电压:90 V; 最大保持电流:100 mA; 浪涌电流额定值:4 A; 重复峰值正向阻断电压:90 V; 峰值通态电压:1.5@1A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 to 125...
VS-ST173C12CFP0
VS-ST173C12CFP0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:330 A; 浪涌电流额定值:4900 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:2.07@600A V;...
BTA26-800CWRG
BTA26-800CWRG,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TOP Insulated-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:50 mA; 浪涌电流额定值:260 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.55@35A V; 重复峰...
MCR218-2G
MCR218-2G,可控硅整流器,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:50 V; 最大保持电流:30 mA; 浪涌电流额定值:100 A; 重复峰值正向阻断电压:50 V; 峰值通态电压:1.8@16A V; 重复峰值断态电流:0.01 mA; 最大栅极触发电压:1.5 V;...
BTB24-800CWRG
BTB24-800CWRG,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:50 mA; 浪涌电流额定值:260 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.55@35A V; 重复峰值断态电流...
VS-2N691
VS-2N691,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-48-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:700 V; 最大保持电流:20 mA; 额定平均通态电流:16 A; 浪涌电流额定值:180 A; 重复峰值正向阻断电压:700 V; 峰值通态电压:2@16A V; 重复峰值断态电流:2.25 mA; ...
TB3100H-13-F
TB3100H-13-F,可控硅整流器,品牌:Diodes,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:275 V; 最大保持电流:800 mA; 浪涌电流额定值:50 A; 重复峰值正向阻断电压:275 V; 峰值通态电压:3.5@1A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 t...
BTA310-600E,127
BTA310-600E,127,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-220AB-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:15 mA; 浪涌电流额定值:93 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.5@12A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发...
VS-ST103S08PFN2
VS-ST103S08PFN2,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:105 A; 浪涌电流额定值:3150 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.73@300A V; 重复峰值...