TISP83121DR-S
TISP83121DR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SOIC-8,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:100 V; 最大保持电流:300 mA; 浪涌电流额定值:22 A; 重复峰值正向阻断电压:100 V; 重复峰值断态电流:0.01 mA; 最大栅极触发电压:1.8 V; 最大门极触发电流:2...
VS-VSKT56/10
VS-VSKT56/10,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:ADD-A-PAK-7,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:1000 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:60 A; 浪涌电流额定值:1520 A; 重复峰值正向阻断电压:1000 V; 峰值通态电压:1.54 V; ...
BT132-600D,412
BT132-600D,412,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:SPT-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:10 mA; 浪涌电流额定值:17.6 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.7@5A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电压:1....
T1210-800G-TR
T1210-800G-TR,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:15 mA; 浪涌电流额定值:126 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.55@17A V; 重复峰值断态电流:0....
TISP8201MDR-S
TISP8201MDR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SOIC-8,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:120 V; 最大保持电流:20(Min) mA; 浪涌电流额定值:11 A; 重复峰值正向阻断电压:120 V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大门极触发电流:5 mA; 工作温度:-...
TYN412RG
TYN412RG,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:30 mA; 额定平均通态电流:8 A; 浪涌电流额定值:125 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.6@24A V; 重复...
T1250H-6I
T1250H-6I,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3 Isolated,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:75 mA; 浪涌电流额定值:126 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.5@17A V; 重复峰值...
BT136B-600E,118
BT136B-600E,118,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:D2PAK-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:15 mA; 浪涌电流额定值:27 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.7@5A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电压:1...
TN2540-600G-TR
TN2540-600G-TR,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:50 mA; 额定平均通态电流:16 A; 浪涌电流额定值:314 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.6@50A V...
TISP4350J3BJR-S
TISP4350J3BJR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:275 V; 最大保持电流:600 mA; 浪涌电流额定值:50 A; 重复峰值正向阻断电压:275 V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:...
BT151-650L,127
BT151-650L,127,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-220AB-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:650 V; 最大保持电流:20 mA; 额定平均通态电流:7.5 A; 浪涌电流额定值:132 A; 重复峰值正向阻断电压:650 V; 峰值通态电压:1.75@23A V; 重复峰值断态电流...
BTA06-600SWRG
BTA06-600SWRG,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3 Insulated,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:15 mA; 浪涌电流额定值:63 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.55@8.5A V...
BTA06-600CRG
BTA06-600CRG,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3 Insulated,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:25 mA; 浪涌电流额定值:63 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.55@8.5A V;...
VS-VSKL56/14
VS-VSKL56/14,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:ADD-A-PAK-5,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:1400 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:60 A; 浪涌电流额定值:1520 A; 重复峰值正向阻断电压:1400 V; 峰值通态电压:1.54 V; ...
TISP4080M3AJR-S
TISP4080M3AJR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMA-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:65 V; 最大保持电流:350 mA; 浪涌电流额定值:24 A; 重复峰值正向阻断电压:65 V; 峰值通态电压:3@5A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 to...
VS-80RIA120PBF
VS-80RIA120PBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:80 A; 浪涌电流额定值:1990 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.6@250A V; 重复峰值断...
BTW69-1200RG
BTW69-1200RG,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TOP Insulated-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:150 mA; 额定平均通态电流:32 A; 浪涌电流额定值:610 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:...
BCR8CM-12LB#BB0
BCR8CM-12LB#BB0,可控硅整流器,品牌:Renesas,封装:TO-220AB-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 浪涌电流额定值:80 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.5@12A V; 重复峰值断态电流:2 mA; 最大栅极触发电压:1.5 V; 最大...
TIC246M-S
TIC246M-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:40 mA; 浪涌电流额定值:125 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.7@22.5A V; 重复峰值断态电流:2 mA; 最大栅极触发电压:2...
TB2300H-13-F
TB2300H-13-F,可控硅整流器,品牌:Diodes,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:190 V; 最大保持电流:800 mA; 浪涌电流额定值:50 A; 重复峰值正向阻断电压:190 V; 峰值通态电压:3.5@1A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 t...