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STN888

STN888,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:120@10mA@1V|100@500mA@1V|70@5A@1V|55(Typ)@8A@1V|35(Typ)@10A@1V; 最大集电极发射极饱和电压:0.15@50A@500mA|0.35@50mA@2A|0.7@250mA@5A|0.7(Typ)@250mA@6A|1(Typ)@400mA@8A|1.2(Typ)@500mA@10A V; 最大集电极基极电压:45 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:1600 mW; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

  • Description:Trans GP BJT PNP 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
  • 品牌:STMicroelectronics
  • 封装:SOT-223-4
  • 描述:功率晶体管,参数:Trans GP BJT PNP 30V 5A

电气特性 Features

Type:PNP
Pin Count:4
Maximum Collector Emitter Voltage:30 V
Maximum DC Collector Current:5 A
Minimum DC Current Gain:120@10mA@1V|100@500mA@1V|70@5A@1V|55(Typ)@8A@1V|35(Typ)@10A@1V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:0.15@50A@500mA|0.35@50mA@2A|0.7@250mA@5A|0.7(Typ)@250mA@6A|1(Typ)@400mA@8A|1.2(Typ)@500mA@10A V
Maximum Collector Base Voltage:45 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Maximum Power Dissipation:1600 mW
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
  • Description:Trans GP BJT PNP 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
  • 品牌:STMicroelectronics
  • 封装:SOT-223-4
  • 描述:功率晶体管,参数:Trans GP BJT PNP 30V 5A
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