注册账号 | 忘记密码
IRF9Z24N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=175.0mOhms,Qg Typ=12.7nC,Rth(JC)=3.3K/W,Power Dissipation@TC 25C=45W,Id@TC 25C=-12A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SN7407DR逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-14封装,...
74HC32PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用T...
MC14093BDTR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON...
SN74HCT574PWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产...
24C04C-SSHM-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生...
SN74HC164DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采...
74HC374D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用S...
AT25256AW-10SU2.7存储器,存储芯片由ATME...
74HCT165D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用...