IRF7526D1
IRF7526D1,集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=200.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=400.0mOhms,Qg Typ=7.5nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
- 品牌：IR
- 封装：Micro 8
- 描述：集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
- Description：P-channel Power MOSFET with Schottky
