注册账号 | 忘记密码
IRF9333,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=19.4mOhms,RDS(on) Max 4.5V=32.5mOhms,Qg Typ=14.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AT89C51CC010UA-RLTUM单片机,低功耗高性能...
AT24C04B-TH-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生...
MC14541BDR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原...
89C51RC2-RLTIM单片机,微控制器由ATMEL原厂...
SN74LV06APWR低功耗逻辑IC由TI原厂生产,采用T...
SN74LV165APWR低功耗逻辑IC由TI原厂生产,采用...
SN74HC138DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采...
74HC153D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用S...
74LVC374AD低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,...