注册账号 | 忘记密码
IRFB4310Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.0mOhms,Id=127A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AT24C04B-TH-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生...
AT24C08BN-SH-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂...
AT24C32CN-SH-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂...
74HC4067D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用...
25160AN-10SI27存储器,存储芯片由ATMEL原厂...
AT24C02B-PU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,...
29LV020-12TU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产...
SN74HC165DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采...
74LVC04APW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,...