IRF7779L2
IRF7779L2,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L8封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.0mOhms,Id=67A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
- Description：N-channel Power MOSFET
- 品牌：IR
- 封装：DirectFET L8
- 描述：N沟道功率MOS管
