IRF6718L2
IRF6718L2,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L6封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=0.70mOhms,Id=270A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
- 品牌：IR
- 封装：DirectFET L6
- 描述：N沟道功率MOS管
- Description：N-channel Power MOSFET
