注册账号 | 忘记密码
IRFHM8337,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.4mOhms,Id=35A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SN74AHC1G04DBVR先进高速CMOS逻辑IC由TI...
74HCT151D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用...
89S52-24PU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,采...
24C02C-PUM存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采...
SN74AHC32DR先进高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产...
26DF321-SU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采...
CD4093BM96 CMOS电路,数字逻辑IC由TI原厂生...
AT24C08C-SSHM-T存储器,存储芯片由ATMEL原...
74LVC1G02GW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产...