注册账号 | 忘记密码
CL31C221JBCNNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值220 pF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
AT24C08C-SSHM-T存储器,存储芯片由ATMEL原...
ATMEGA88PA-MU单片机,微控制器由ATMEL原厂生...
93C66A-10PU27存储器,存储芯片,3线串行EEPR...
ATMEGA48V-10AU单片机,微控制器由ATMEL原厂...
74HCT257D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用...
74LVC16244ADGG低功耗CMOS逻辑IC由NXP原...
89C2051-12SU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产...
74HCT04D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用S...
AT29LV512-12JU存储器,存储芯片由ATMEL原厂...