注册账号 | 忘记密码
CL31C222JBCNNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值2.2 nF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
AT24C02C-XHM-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂...
74LVC4245AD低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产...
74LVC32APW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,...
MC14516BDR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原...
25F512B-SSH-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生...
CD4504BM96 CMOS电路,数字逻辑IC由TI原厂...
SN74AHC1G14DCKR先进高速CMOS逻辑IC由TI...
SN74HCT138DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,...
SN74LV374APWR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生...