注册账号 | 忘记密码
CL31C273JBHNNNE,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值27 nF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.6 mm,精度 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
SN74AHC1G14DCKR先进高速CMOS逻辑IC由TI...
SN74LVC244ADWR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂...
74HC08PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用T...
SN74LS14DR低功耗逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-...
74LVC04AD低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采...
74HCT244D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用...
74HC257D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用S...
AT24C02B-TH-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生...
27C256R-70JU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产...