CL31C331KBCNBNC,排容C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值330 pF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度 10 %.咨询购买请致电:0755-83897562
25128AN-10SI27存储器,存储芯片由ATMEL原厂...
SN74HCT245PWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产...
MC14175BDR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原...
74HC4049D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用...
SN74HC86DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用...
SN74LS377DWR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产...
SN74LS245DWR低功耗逻辑IC由TI原厂生产,采用S...
AT89S51-24AU单片机,低功耗高性能的CMOS 8位...
45DB081D-SU存储器,8M闪存存储器由ATMEL原厂...