注册账号 | 忘记密码
CL31C470KBCNNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值47 pF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度 10 %.咨询购买请致电:0755-83897562
SN74HC373DWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,...
SN74LVC1G125DBVR低功耗CMOS逻辑IC由TI...
SN74HC373PWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,...
ATF16V8BQL-15PU单片机,高性能,可编程逻辑器件...
MC14013BDTR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON...
28C256-15PU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,...
74HC688D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用S...
74HC574D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用S...
SN74AHC1G14DBVR先进高速CMOS逻辑IC由TI...