注册账号 | 忘记密码
KTD998,晶体管,三极管,TO-3P封装,参数为:Pcm=3000mW,Ic=10000mA,BVcbo=120V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=55,hfe(Max)=160,Vce(sat)=2.5V,fr=12+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AT45DB642D-TU单片机,64M闪存存储器由ATME...
ATTINY28C64B-15SU单片机,微控制器由ATME...
24C64AN-10SU2.7存储器,存储芯片由ATMEL原...
SN74AHC574DWR先进高速CMOS逻辑IC由TI原厂...
74HCT32PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用...
45DB161D-TU存储器,16M闪存存储器由ATMEL原...
SN74LV14APWR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产...
SN74HCT245PWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产...
SN74LS05DR六路反向器由TI原厂生产,采用SO-14...