注册账号 | 忘记密码
KTD998,晶体管,三极管,TO-3P封装,参数为:Pcm=3000mW,Ic=10000mA,BVcbo=120V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=55,hfe(Max)=160,Vce(sat)=2.5V,fr=12+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SN74HC175DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采...
74HC161D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用S...
AT24C512B-TH-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂...
ATF22V10C-15JC单片机,高性能,可编程逻辑器件由...
74HC541D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用7...
74HC4094PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采...
24C256C-SSHL-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂...
SN74LVC374ADWR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂...
91SAM9G20B-CU单片机,ARM核心微控制器由ATM...