注册账号 | 忘记密码
IRFHE4250D,双N沟道带肖特基的MOS管,由IR原厂生产,PQFN 6 x 6封装,参数为:VBrdss=25V,VGs Max=16V,RDS(on) Max 4.5V=1.0mOhms,Rth(JA)=24C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ATF91SAM9260B-QU单片机,高性能,可编程逻辑器...
74HC03D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO...
74AHC138PW先进高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产...
SN74LV86ADR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产,...
SN74LVC32APWR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生...
28C64B-15PU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,...
74LVC04APW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,...
SN74AHCT245NSR先进高速CMOS逻辑IC由TI原...
SN74AHC1G14DCKR先进高速CMOS逻辑IC由TI...