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IRF9910PBF-1,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=11.3mOhms,Rth(JA)=62.5(JA)C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
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