IRFH4255D
IRFH4255D,双N沟道带肖特基的MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 H封装,参数为:VBrdss=25V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=2.1mOhms,Rth(JA)=31 (Q2)C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
- Description：Dual N w Schottky-channel MOSFET
- 品牌：IR
- 封装：PQFN 5 x 6 H
- 描述：双N沟道带肖特基的MOS管
