IRFH4257D
IRFH4257D,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 4封装,参数为:VBrdss=25V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=1.4mOhms,Rth(JA)=40C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
- Description：Dual N-channel MOSFET
- 品牌：IR
- 封装：PQFN 5 x 4
- 描述：双N沟道MOS管
