SBSP52T1G
SBSP52T1G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:2000@500mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1.3@0.5mA@5...
ULN2803AFW(M)
ULN2803AFW(M),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SOL-18,参数:配置:Octal; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500uA@350mA|1.3@...
FZT705TA
FZT705TA,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:120 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:3000@10mA@5V|3000@100mA@5V|3000@1A@5...
BST50,115
BST50,115,三极管,达林顿管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:45 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:1000@150mA@10V|2000@500mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1.3@0.5mA@5...
TIP145
TIP145,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:500@10A@4V|1000@5A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@10mA...
ULN2004ADRE4
ULN2004ADRE4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mou...
BDX54C
BDX54C,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:750@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3A V; 最大集电极基极电压:10...
2STW100
2STW100,三极管,达林顿管,品牌:ST Micro,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:25 A; 最小DC直流电流增益:600@5A@3V|500@10A@3V|300@20A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@2...
ULQ2004A
ULQ2004A,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:PDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@350uA@200mA|1.6@5...
2STBN15D100
2STBN15D100,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:12 A; 最小DC直流电流增益:750@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@1mA@0.5A|...
TIP140G
TIP140G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:1000@5A@4V|500@10A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@10mA@5A|3@40mA@10A ...
BDX33BG
BDX33BG,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:750@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@6mA@3A V; 最大集电极基极电压:80 V; 安...
MJD117
MJD117,达林顿晶体管,由ON原厂生产,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1750mW,Ic=2000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=100012000,Vce(sat)=3V,fr=25MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ULQ2003ATDRG4Q1
ULQ2003ATDRG4Q1,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@100mA|1.4@200mA|1.7@350mA V; 安装方式:Surface ...
ULQ2003D1
ULQ2003D1,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:SO-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@350uA@200mA|1.6@50...
BD680G
BD680G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:750@1.5A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@30mA@1.5A V; 最大集电极基极电压:80 V; ...
BCV27,215
BCV27,215,三极管,达林顿管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:4000@1mA@5V|10000@10mA@5V|20000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱...
TIP127
TIP127,达林顿晶体管,由ST原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=5000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=1000,Vce(sat)=4V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MJD127T4G
MJD127T4G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:1000@4A@4V|100@8A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@16mA@4A|4@80mA@8A V;...
FJB102TM
FJB102TM,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:1000@3A@4V|200@8A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@6mA@3A|2.5@80...