搜索结果：6相关的内容
-
【可控硅(晶闸管)】T1610-800G-TR
T1610-800G-TR,可控硅整流器,品牌:ST Micro,封装:D2PAK-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:15 mA; 浪涌电流额定值:168 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.55@22.5A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; ... -
【可控硅(晶闸管)】T1610-800G-TR
T1610-800G-TR,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:15 mA; 浪涌电流额定值:168 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.55@22.5A V; 重复峰值断态电流:... -
【可控硅(晶闸管)】T1610-600G-TR
T1610-600G-TR,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:15 mA; 浪涌电流额定值:168 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.55@22.5A V; 重复峰值断态电流:... -
【可控硅(晶闸管)】T130N16BOF
T130N16BOF,可控硅整流器,品牌:Infineon,封装:4-Pin,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1600 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:190 A; 浪涌电流额定值:3500 A; 重复峰值正向阻断电压:1600 V; 峰值通态电压:1.96@600A V; 重复峰值断态电... -
【可控硅(晶闸管)】T1250H-6T
T1250H-6T,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:75 mA; 浪涌电流额定值:126 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.5@17A V; 重复峰值断态电流:0.00... -
【可控硅(晶闸管)】T1250H-6I
T1250H-6I,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3 Isolated,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:75 mA; 浪涌电流额定值:126 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.5@17A V; 重复峰值... -
【可控硅(晶闸管)】T1250H-6G-TR
T1250H-6G-TR,可控硅整流器,品牌:ST Micro,封装:D2PAK-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:75 mA; 浪涌电流额定值:126 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.5@17A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极... -
【可控硅(晶闸管)】T1250H-6G-TR
T1250H-6G-TR,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:75 mA; 浪涌电流额定值:126 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.5@17A V; 重复峰值断态电流:0.00... -
【功率晶体管】SST2907AT116
SST2907AT116,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SST-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|50@500... -
【功率晶体管】SST2222AT116
SST2222AT116,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SST-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|50@150mA@1V|100@150mA@... -
【功率晶体管】SD1726
SD1726,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:Case-4 M-174,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:55 V; 最大DC直流集电极电流:20 A; 最小DC直流电流增益:18@1.4A@6V; 最大集电极基极电压:110 V; 工作温度:-65 to 200... -
【功率晶体管】SD1526-01
SD1526-01,功率晶体管,品牌:Microsemi,封装:Case-4 M115,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最大工作频率:1090 MHz; 最大集电极基极电压:45 V; 工作温度:-65 to 200 ℃; 最大功率耗散:2190... -
【功率晶体管】RN4906,LF
RN4906,LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.25mA@5mA V; 最大集电极基极电压:50... -
【功率晶体管】RN2906,LF
RN2906,LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.25mA@5mA V; 最大集电极基极电压:50 V; ... -
【功率晶体管】RN2306,LF
RN2306,LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.25mA@5mA V; 最大集电极基极电压:50 V;... -
【功率晶体管】RN1416,LF
RN1416,LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:50@10mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.25mA@5mA V; 最大集电极基极电压:50... -
【功率晶体管】RN1306,LF
RN1306,LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.25mA@5mA V; 最大集电极基极电压:50 V;... -
【功率晶体管】QSX6TR
QSX6TR,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:TSMT-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:270@100mA@2V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.35@50mA@1A V;... -
【功率晶体管】QST6TR
QST6TR,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:TSMT-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:270@200mA@2V; 最大工作频率:360(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.18@50mA@1A V; 最... -
【功率晶体管】NE856M02-AZ
NE856M02-AZ,功率晶体管,品牌:NEC,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:50@20mA@10V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:12...