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【保护器件(TVS-ESD)】P4KE56D-E3
P4KE56D-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 47.8V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-41,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 5.3 A; 最大反向漏电流: 1... -
【保护器件(TVS-ESD)】P4KE51D-E3
P4KE51D-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 43.6V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-41,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向漏电流: 1... -
【保护器件(TVS-ESD)】P4KE15D-E3
P4KE15D-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12.8V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-41,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 19.2 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】15KPA33AE3
15KPA33AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 75V 15000W,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 123.... -
【保护器件(TVS-ESD)】15KPA33CAE3
15KPA33CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 276.1 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】15KPA40CAE3
15KPA40CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 40V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 229.5 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】15KPA43CAE3
15KPA43CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 43V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 216.3 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】15KPA48CAE3
15KPA48CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 48V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 194.3 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】15KPA75AE3
15KPA75AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 33V 15000W,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 276.... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6105AUS
1N6105AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.9V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 37.3 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6105US
1N6105US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.9V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 37.3 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6115AUS
1N6115AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 15 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6115US
1N6115US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 15 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6125AUS
1N6125AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 47.1V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.9 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6135AUS
1N6135AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 121.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.3 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】1N6465US
1N6465US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 69 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】30KPA150CAE3
30KPA150CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 150V 30KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 30000 W; 最大峰值脉冲电流: 129.8 A; 最大反向... -
【保护器件(TVS-ESD)】30KPA45AE3
30KPA45AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 45V 30KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 30000 W; 最大峰值脉冲电流: 391.5 A; 最大反向漏... -
【保护器件(TVS-ESD)】DFLT15A-7
DFLT15A-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 15V 1.125KW,品牌:Diodes,封装:2PowerDI 123,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 1125 W; 最大峰值脉冲电流: 9.22 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 24.4 V; 最... -
【保护器件(TVS-ESD)】DFLT45A-7
DFLT45A-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 45V 1.125KW,品牌:Diodes,封装:2PowerDI 123,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1125 W; 最大峰值脉冲电流: 3.1 A; 最大...