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1N6066

1N6066, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 105V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.8 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 191 V; 最大反向关态电压: 105 V; 最小击穿电压: 117 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562

  • 品牌:Microsemi
  • 封装:DO-13
  • 描述:瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 105V 1.5KW
  • Description:Diode TVS Single Bi-Dir 105V 1.5KW 2-Pin DO-13

电气特性 Features

  • 配置: Single
  • 方向类型: Bi-Directional
  • 峰值脉冲功率耗散: 1500 W
  • 最大峰值脉冲电流: 7.8 A
  • 最大反向漏电流: 5 uA
  • 最大钳位电压: 191 V
  • 最大反向关态电压: 105 V
  • 最小击穿电压: 117 V
  • 测试电流: 1 mA
  • 工作温度: -55 to 175 ℃
  • 安装方式: Through Hole
  • 品牌:Microsemi
  • 封装:DO-13
  • 描述:瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 105V 1.5KW
  • Description:Diode TVS Single Bi-Dir 105V 1.5KW 2-Pin DO-13

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