注册账号 | 忘记密码
VCR2N-E3,场效应晶体管,品牌:Vishay,封装:TO-226AA-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:-25 V; 工作温度:-55 to 175 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
SN74LV06APWR低功耗逻辑IC由TI原厂生产,采用T...
CD4027BM96 CMOS电路,数字逻辑IC由TI原厂生...
24C08A-10TU2.7存储器,存储芯片由ATMEL原厂...
24C02C-SSHM-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生...
SN74LVC2G14DBVR低功耗CMOS逻辑IC由TI原...
AT89S52-24PU单片机,低功耗高性能的CMOS 8位...
89C2051-24SU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产...
74HC107D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用S...
45DB642D-TU存储器,64M闪存存储器由ATMEL原...