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ER114DYM4-26A/S

ER114DYM4-26A/S,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,26.5VDC,1.56KOhm,品牌:Teledyne,参数:类型:Centigrid Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:26.5 ...

TLE2074

TLE2074,四路低噪声高速 JFET 输入运算放大器,TI原厂生产,SOIC-16,PDIP-14封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

TPS70936QDBVRQ1

TPS70936QDBVRQ1,具有使能端的150mA,3.6 V 超低 IQ LDO,品牌:TI,封装:SOT23-5,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:30 V,最大输出电流:0.15 A,输出电压:3.6 V,精度:±2 %,线性调整:10 mV,负载调节...

EP3C55F780C7N

EP3C55F780C7N,现场可编程门阵列(FPGA),55856 Cells,437.5MHz,65nm Technology,1.2V,由Altera原厂生产,FBGA-780封装,详细参数为:所属产品系列:Cyclone III,逻辑单元数量(Cells):55856,逻辑单元数量(Units):55856,最...

DAC908E/2K5

DAC908E/2K5,8位165MSPS SpeedPlus(TM) DAC,可伸缩电流输出在 2mA与20mA 之间,由TI原厂生产,TSSOP-28封装,参数为:分辨率:8 Bit,转换速率:200 Msps,架构:Segment,数字接口类型:Parallel,DAC通道数:1,每芯片输出:1,输出类型:Cur...

DSPD56374AEC

DSPD56374AEC,品牌:Freescale,封装:LQFP-52,详细参数:数字和算术格式:Fixed-Point,最大速度:150 MHz,RAM大小:54 KB,设备每秒百万指令:150 MIPS,数据总线宽度:24 Bit,设备输入时钟速度:150 MHz,工作电源电压:1.25|3.3 V,程序存储器大...

EP1C3T144C7

EP1C3T144C7,现场可编程门阵列(FPGA),2910 Cells,320.1MHz,0.13um (CMOS) Technology,1.5V,由Altera原厂生产,TQFP-144封装,详细参数为:所属产品系列:Cyclone,逻辑单元数量(Cells):2910,逻辑单元数量(Units):2910,最...

JANTX1N6155A

JANTX1N6155A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 27.4V 1.5KW,品牌:Semtech,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 30.1 A; 最大反向漏电...

TBJD475K035CBSB0900

TBJD475K035CBSB0900,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 4.7uF;电压: 35V;公差精度: 10%;外形尺寸: 7.3 X 4.3 X 2.8mm;等效串联电阻: 1.5 Ohm.咨询购买请致电:0755-83897562

MC14001BDR2G

MC14001BDR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562

T491A225M010ZT

T491A225M010ZT,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 2.2 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 8 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...

TT600N16KOFHPSA2

TT600N16KOFHPSA2,可控硅整流器,品牌:Infineon,封装:3-Pin BG-PB60AT-1,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1600 V; 最大保持电流:300 mA; 额定平均通态电流:600@Tc=85C A; 浪涌电流额定值:21 A; 重复峰值正向阻断电压:1600 V; 峰值通态...

TAJC107K010RNJ

TAJC107K010RNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 6032-28,C型,参数:容值: 100 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 1.2 Ohm;外形尺寸: 6*2.6*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389756...

J432D-26M

J432D-26M,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,26.5VDC,3.3KOhm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:26.5 V; 线圈电流:8.03 mA; ...

TLV3701IDBVT

TLV3701IDBVT ,单路毫微瓦功率推拉比较器,TI原厂生产,SOT-23-5封装,参数为:1 路, 轨至轨输入/输出, 最小单电源电压:2.7 V,最大单电源电压:16 V,最小双电源电压:±1.35 V,最大双电源电压:±8 V,温度范围:-40 to 125 ℃,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83...

CL10C102JB8NNWC

CL10C102JB8NNWC,网络应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1 nF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562

IGW40T120

IGW40T120,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:75 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...

A3PE1500-2PQ208

A3PE1500-2PQ208,现场可编程门阵列(FPGA),1.5M Gates,310MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,PQFP-208封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC3E,逻辑门数量(Gates):1500000,系统门数量(System...

EMD4T2R

EMD4T2R,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83...

HSMS-8209-TR2G

HSMS-8209-TR2G,射频混频器,品牌:Avago,封装:SOT-143-4,参数:配置:Quad Cross Over; 最小反向电压:4 V; 频率范围:X|Ku; 最大VSWR:1.2(Typ); 最大会话损失:6.3(Typ) dB; 最大二极管电容:0.26 pF; 最大正向电压:0.35@1mA V...