IM01JR
IM01JR,继电器,DPDT,2A,3VDC,64Ohm,品牌:TE,参数:类型:Signal Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:46.88 mA; 线圈电阻:64 Ohm; 触点材质:Palladium Ruthenium/Gold; 最大额定AC交流...
STM8S208C6T6
STM8S208C6T6,单片机，微控制器，24MHz，8位，32KB闪存，6K RAM内存,品牌:ST,封装:48-LQFP,参数:MCU,24MHz,8Bit,32KB Flash,6K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
1N6111US
1N6111US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 22.4 A; 最大反向漏电流...
ESDALC6V1-1U2
ESDALC6V1-1U2,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:ST Micro,封装:SMD-2,参数:类型:TVS; 引脚数量:2; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±8@Contact Disc kV; 最大漏电流:0.1 uA; 电容值:12(Typ) pF;...
BDW24C-S
BDW24C-S,三极管,达林顿管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:1000@1A@3V|750@2A@3V|100@6A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@8mA@2...
T491B476M010ATAUTO
T491B476M010ATAUTO,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 47 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 1 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83...
ADSP-21367KSWZ-4A
ADSP-21367KSWZ-4A,品牌:Analog Devices,封装:LQFP-208 EP,详细参数:数字和算术格式:Floating-Point,最大速度:400 MHz,RAM大小:256 KB,设备每秒百万指令:400 MIPS,数据总线宽度:32|40 Bit,设备输入时钟速度:400 MHz,指令集...
SMCJ188CAHE3
SMCJ188CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 188V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.6 A; 最大反向漏电流: 1 ...
1.5KE24A-B
1.5KE24A-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20.5V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 45 A; 最大反向漏电流:...
M2S010T-1VF400I
M2S010T-1VF400I,现场可编程门阵列(FPGA),9744 Cells,65nm (CMOS) Technology,1.2V,由Microsemi原厂生产,VFBGA-400封装,详细参数为:所属产品系列:SmartFusion2,逻辑单元数量(Cells):9744,逻辑单元数量(Units):9744...
F931A475MAA
F931A475MAA,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 4.7 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 4 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
J431T-12PM
J431T-12PM,继电器,SPDT,1ADC/0.25AAC,12VDC,1.025KOhm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:13.6 mA; 线...
A54SX32A-1BGG329M
A54SX32A-1BGG329M,现场可编程门阵列(FPGA),32K Gates,1800 Cells,278MHz,0.25um/0.22um (CMOS) Technology,2.5V,由Microsemi原厂生产,BGA-329封装,详细参数为:所属产品系列:SX-A,逻辑门数量(Gates):32000,...
KTA1298
KTA1298,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=800mA,BVcbo=35V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.4V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TPS76730QDG4
TPS76730QDG4,单输出 LDO、1.0A、固定电压 (3.0V)、低静态电流、快速瞬态响应,品牌:TI,封装:SOIC-8,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:10 V,最大输出电流:1A,输出电压:3 V,最大功耗:904 mW,典型压差电压@电流:0...
FZT649TA
FZT649TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:70@50mA@2V|100@1A@2V|75@2A@2V|15@6A@2V; 最大工作频率:240(Typ) MH...
ADF4153YCPZ-RL7
ADF4153YCPZ-RL7,射频IC,锁向环,PLL Frequency Synthesizer Single,品牌:ADI(Analog Devices),封装:20LFCSP EP,咨询购买请致电:0755-83897562
XC6SLX100-L1FGG676I
XC6SLX100-L1FGG676I,现场可编程门阵列(FPGA),101261 Cells,45nm (CMOS) Technology,1V,由Xilinx原厂生产,FBGA-676封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-6 LX,逻辑单元数量(Cells):101261,逻辑单元数量(Units):10...
DCX55-16-13
DCX55-16-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:63@5mA@2V|40@500mA@2V|100@150mA@2V; 最大工作频率:200(Typ) MHz;...
B45196H1156K209
B45196H1156K209,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 15 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 10%;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562