XC7K410T-3FFG676E
XC7K410T-3FFG676E,现场可编程门阵列(FPGA),406720 Cells,28nm Technology,1V,由Xilinx原厂生产,BGA-676封装,详细参数为:所属产品系列:Kintex-7,逻辑单元数量(Cells):406720,逻辑单元数量(Units):254200,寄存器数量(Reg...
SPC564A70B4COBR
SPC564A70B4COBR,单片机，微控制器，120MHz，32位，2MB闪存，128K RAM内存,品牌:ST,封装:324-BGA,参数:MCU,120MHz,32Bit,2MB Flash,128K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
T492A155K006DHT100
T492A155K006DHT100,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 1.5 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 8 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-...
CL-208
CL-208,红外发射管,KODENSHI原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TPSE337K006R0050
TPSE337K006R0050,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-43,E型,参数:容值: 330 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.05 Ohm;外形尺寸: 7.3*4.1*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8...
TPS79301DBVRG4
TPS79301DBVRG4,超低噪声、高 PSRR、快速射频、高电平启用的 200mA 低压降稳压器,品牌:TI,封装:SOT23-6,详细参数为:电压极性:Positive,类型:Linear,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:0.2 A,输出电压:1.22 to 5.5...
PBSS4560PA,115
PBSS4560PA,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:HUSON3-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:280@0.5A@2V|260@1A@2V|210@2A@2V|70@6A@2V; 最大工作频率:150(Typ...
LM2900N
LM2900N ,四路运算放大器,TI原厂生产,PDIP-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:2.5 MHz,典型转换速率:20@±15V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:10@15V mA,最大输入偏置电流:0.2@15V uA,关闭功能:No,最小单电源电压:4.5 V,最大单电源电压:32 ...
MK74CG117BFLFTR
MK74CG117BFLFTR,射频IC,锁向环,PLL Clock Synthesizer Single,品牌:IDT,封装:48SSOP,咨询购买请致电:0755-83897562
DDTC144VUA-7-F
DDTC144VUA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:33@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...
XCS30-3TQ144C
XCS30-3TQ144C,现场可编程门阵列(FPGA),30K Gates,1368 Cells,125MHz,5V,由Xilinx原厂生产,TQFP-144封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan,逻辑门数量(Gates):30000,逻辑单元数量(Cells):1368,逻辑单元数量(Units):576,...
BAT18,215
BAT18,215,PIN二极管开关,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 最大反向电压:35 V; 最大正向电流:100 mA; 最大正向电压:1.2 V; 最大二极管电容:1@20V pF; 安装方式:Surface Mount; 类型:Switch. 询报价及购买请致电:0755-...
TPA3107D2PAPT
TPA3107D2PAPT ,15W 立体声 D 类音频功率放大器,TI原厂生产,64HTQFP EP封装,参数为:功能:扬声器,放大器类型:Class-D,典型输出功率x通道@载:15x2@8Ohm W,输入信号类型:Differential,输出信号类型:Differential,输出类型:2-Channel St...
BUJD103AD,118
BUJD103AD,118,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:10@1mA@5V|13@500mA@5V|11@2A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.6A@3A V; ...
XC2S15-5VQG100C
XC2S15-5VQG100C,现场可编程门阵列(FPGA),15K Gates,432 Cells,263MHz,0.18um Technology,2.5V,由Xilinx原厂生产,VTQFP-100封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-II,逻辑门数量(Gates):15000,逻辑单元数量(Cells...
SMAJ40A-13-F
SMAJ40A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40V 400W,品牌:Diodes,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 6.2 A; 最大反向漏电流: 5 u...
251PMILFT
251PMILFT,射频IC,锁向环,Programmable PLL Clock Synthesizer Single,品牌:IDT,封装:8SOIC N,咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C470JIFNNNE
CL31C470JIFNNNE,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值47 pF,电压1000 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
SMCG7.0CAHE3
SMCG7.0CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 125 A; 最大反向漏电流: 400...
1N6108A
1N6108A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9.1V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 29.6 A; 最大反向漏电流: 2...