TLV27L1CDBVRG4
TLV27L1CDBVRG4 ,11uA/通道 160kHz、 RR-Out 运算放大器,TI原厂生产,SOT-23-5封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:0.16 MHz,典型转换速率:0.06@5V V/us,轨至轨输出,最大输入失调电压:5@5V mV,最大输入偏置电流:0.00006@5V uA,典...
A3P1000L-1FG484I
A3P1000L-1FG484I,现场可编程门阵列(FPGA),1M Gates,892.86MHz,130nm (CMOS) Technology,1.2V,由Microsemi原厂生产,FBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC3L,逻辑门数量(Gates):1000000,系统门数量(Syst...
T491D337K010AH
T491D337K010AH,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 330 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.5 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838...
PEMB4,115
PEMB4,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-666-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:200@1mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
A54SX32A-CQ84B
A54SX32A-CQ84B,现场可编程门阵列(FPGA),32K Gates,1800 Cells,238MHz,0.25um/0.22um (CMOS) Technology,2.5V,由Microsemi原厂生产,CQFP-84封装,详细参数为:所属产品系列:SX-A,逻辑门数量(Gates):32000,逻辑单...
1N5908
1N5908, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 1.5KW,品牌:ST,封装:2Case CB-429,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 120 A; 最大反向漏电流: 300...
IRLHS6242
IRLHS6242,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 2 x 2封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,Id=22A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OPA228PAG4
OPA228PAG4 ,高精度低噪声运算放大器,TI原厂生产,PDIP-8封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:8 MHz,典型转换速率:11@±15V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:0.2@±15V mV,最大输入偏置电流:0.01@±15V uA,典型输入噪声电压密度:3.5@±15V nV/...
AGLP030V5-VQ128
AGLP030V5-VQ128,现场可编程门阵列(FPGA),30K Gates,256 Cells,892.86MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,VTQFP-128封装,详细参数为:所属产品系列:IGLOO PLUS,逻辑门数量(Gates):30000,...
B45196H2476M209
B45196H2476M209,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 47 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 20%;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
BBY58-06W H6327
BBY58-06W H6327,变容二极管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:配置:Dual Common Anode; 类型:Tuner|VCO|VCXO|TCXO; 最小调谐比:2.7; 最大反向电压:10 V; 最小二极管电容:17.5@1V pF; 调谐比测试条件:1/4 V; 安装方式:...
MMBTH81
MMBTH81,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:60@5mA@10V; 最大工作频率:600(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.5m...
ST72F321BR7T6
ST72F321BR7T6,单片机，微控制器，8MHz，8位，48KB闪存，1.5K RAM内存,品牌:ST,封装:64-LQFP,参数:MCU,8MHz,8Bit,48KB Flash,1.5K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
ASM3P2812BF-08SR
ASM3P2812BF-08SR,射频IC,锁向环,PLL Clock Generator Single,品牌:ON,封装:8SOIC N,咨询购买请致电:0755-83897562
T510E108M004ATE010
T510E108M004ATE010,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7260-38,E型,参数:容值: 1000 uF;电压: 4 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.01 Ohm;外形尺寸: 7.3*3.6*6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-...
XA6SLX75-3FGG484I
XA6SLX75-3FGG484I,现场可编程门阵列(FPGA),74637 Cells,45nm (CMOS) Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:XA Spartan-6,逻辑单元数量(Cells):74637,逻辑单元数量(Units):7463...
MMBTA92_R1_00001
MMBTA92_R1_00001,功率晶体管,品牌:Panjit,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|25@30mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压...
RJH60M3DPE-00#J3
RJH60M3DPE-00#J3,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Renesas,封装:LDPAK(S)-1-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:35 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0...
SMCJ6052A
SMCJ6052A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 30V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 30 A; 最大反向漏电流:...
TPS75225QPWPRG4
TPS75225QPWPRG4,单输出 LDO、2A、固定电压 (2.5V)、SVS、快速瞬态响应,品牌:TI,封装:HTSSOP-20 EP,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:2A,输出电压:2.5 V,最大功耗:7200 mW,精度...