SMAJ150CAHE3
SMAJ150CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 150V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 1.2 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
Z0103MNT1G
Z0103MNT1G,可控硅整流器,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:7 mA; 浪涌电流额定值:8 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.56@1.4A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:1....
T510X157K016AHE040
T510X157K016AHE040,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-43,X型,参数:容值: 150 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.04 Ohm;外形尺寸: 7.3*4*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-...
P6KE62A
P6KE62A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 53V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.1 A; 最大反向漏电流: 5 u...
TLJT226M016R1000
TLJT226M016R1000,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3528-12,T型,参数:容值: 22 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 1 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.2*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838975...
HOA0860-N51
HOA0860-N51,凹槽型开关,由HONEYWELL原厂生产,GAP4-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
XC3S500E-4CPG132I
XC3S500E-4CPG132I,现场可编程门阵列(FPGA),500K Gates,10476 Cells,572MHz,90nm (CMOS) Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,CSBGA-132封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-3E,逻辑门数量(Gates):500000,逻...
A40MX04-PLG84I
A40MX04-PLG84I,现场可编程门阵列(FPGA),6K Gates,547 Cells,83MHz/139MHz,0.45um (CMOS) Technology,3.3V/5V,由Microsemi原厂生产,PLCC-84封装,详细参数为:所属产品系列:40MX,逻辑门数量(Gates):6000,逻辑单元...
IRM-8607S
IRM-8607S,红外接收头,EVERLIGHT原厂生产,DIP封装,参数描述:灵敏度高,性能稳定,体积小,抗光电干扰性能好,接收角度宽,价格实惠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FJV3114RMTF
FJV3114RMTF,数字晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
SMAJ26CAE3
SMAJ26CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 26V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 11.9 A; 最大反向漏电流...
1.5KE75CA-T
1.5KE75CA-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 64.1V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 14.6 A; 最大反向漏电流...
TAZF226M015CBSZ0000
TAZF226M015CBSZ0000,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: F型,参数:容值: 22 uF;电压: 15 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 3 Ohm;外形尺寸: 5.59*1.78*3.43 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562...
SM15T15A-E3
SM15T15A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 368 A; 最大反向漏电流: ...
G7L1ATCBDC24
G7L1ATCBDC24,继电器,SPST-NO,30A,24VDC,303Ohm,品牌:Omron,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:30 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:79 mA; 线圈电阻:303 Ohm; 触点材质:Silver ...
ST10F269-DPB
ST10F269-DPB,单片机，微控制器，40MHz，16位，256KB闪存，12K RAM内存,品牌:ST,封装:144-BFQFP,参数:MCU,40MHz,16Bit,256KB Flash,12K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
BT234X-800D,127
BT234X-800D,127,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-220F-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:6 mA; 浪涌电流额定值:38.5 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.5@6A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电...
DW52C2V7LED02
DW52C2V7LED02,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,WBFBP-02C(1.0×0.6×0.5)封装,参数为:Pd=100mW,Nom=2.7V,Min=2.5V,Max=2.9V,Zzt=100欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=20uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TLE2082CDR
TLE2082CDR ,双路高速 JFET 输入运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:9.4 MHz,典型转换速率:35@±5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:3.9@±5V mA,最大输入失调电压:6@±5V mV,最大输入偏置电流:0.175@±5V uA,典...
BCP54-16,135
BCP54-16,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@150mA@2V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@...