ADS8481IRGZT
ADS8481IRGZT,具有Ref 引脚的18位1MSPS并行ADC,由TI原厂生产,VQFN-48 EP封装,参数为:分辨率:18 Bit,采样速率:1 Msps,ADC数量:1,模拟输入数量:1,架构:SAR,是否差分输入:Yes,数字接口类型:Parallel,输入类型:Voltage,输入电压极性:Unipo...
STM8L151F3U6DTR
STM8L151F3U6DTR,单片机，微控制器，16MHz，8位，8KB闪存，1K RAM内存,品牌:ST,封装:20-UFQFN,参数:MCU,16MHz,8Bit,8KB Flash,1K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
M1A3PE1500-1PQG208
M1A3PE1500-1PQG208,现场可编程门阵列(FPGA),1.5M Gates,272MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,PQFP-208封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC3E,逻辑门数量(Gates):1500000,系统门数量(Sys...
CWR29DC227KDHZ
CWR29DC227KDHZ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: H型,参数:容值: 220 uF;电压: 6 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.18 Ohm;外形尺寸: 7.24*2.79*3.81 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
HEF4541BT
HEF4541BT CMOS电路,逻辑IC由PHILIPS原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
2SAR514PT100
2SAR514PT100,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:MPT-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.7 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@3V; 最大工作频率:380(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@15mA@3...
CD214L-T16ALF
CD214L-T16ALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 16V 3KW,品牌:Bourns,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 115.4 A; 最大反向...
J422DD-6WL
J422DD-6WL,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,6VDC,97Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Magnetic Latching Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电...
TLC2272MUB
TLC2272MUB ,轨至轨低噪声高级 LinCMOS(TM) 双路运算放大器,TI原厂生产,CFPAK-10封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:2.18 MHz,典型转换速率:3.6@5V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:3@5V mA,最大输入失调电压:2.5@±2.5V mV,最大输入偏置电流:...
ADSP-21261SKSTZ150
ADSP-21261SKSTZ150,浮点数字信号处理器,32-Bit 150MHz 150MIPS,品牌:Analog Devices,封装:LQFP-144,详细参数:数字和算术格式:Floating-Point,最大速度:150 MHz,RAM大小:128 KB,设备每秒百万指令:150 MIPS,数据总线宽度:...
F931C686MNC
F931C686MNC,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343,N型,参数:容值: 68 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.6 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
BC807-40QAZ
BC807-40QAZ,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:40@500mA@1V; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@50mA@500mA V; 最大集电极基极电压:50 V; ...
BC857C,215
BC857C,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@...
ADC084S051CIMM
ADC084S051CIMM,4通道、200ksps至500ksps、8位A/D 转换器,由TI原厂生产,MSOP-10封装,参数为:分辨率:8 Bit,采样速率:500 ksps,ADC数量:1,模拟输入数量:4,架构:SAR,是否差分输入:No,数字接口类型:Serial (4-Wire, SPI, QSPI, M...
SM8S24HE3
SM8S24HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 6.6KW,品牌:Vishay,封装:DO-218AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 6600 W; 最大峰值脉冲电流: 153 A; 最大反向漏电流:...
J412-5L
J412-5L,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,5VDC,50Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:100 mA; 线圈电阻:50 Ohm...
T494B226K006AT
T494B226K006AT,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 22 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.6 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838...
SMBJ48A-13-F
SMBJ48A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 48V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.7 A; 最大反向漏电流: 5 u...
P6KE39ARL
P6KE39ARL, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33V 600W,品牌:ST,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 57 A; 最大反向漏电流: 500 uA; 最...
CL03C220JA3GNNC
CL03C220JA3GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值22 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562