TAJR156M004RNJ
TAJR156M004RNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 2012-12,R型,参数:容值: 15 uF;电压: 4 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 4 Ohm;外形尺寸: 2.05*1.2*1.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562...
ADSP-BF504KCPZ-4F
ADSP-BF504KCPZ-4F,品牌:Analog Devices,封装:LFCSP-88 EP,详细参数:最大速度:400 MHz,RAM大小:64 KB,设备每秒百万指令:400 MIPS,设备输入时钟速度:400 MHz,指令集架构:Modified Harvard,程序存储器大小:4 MB,抗辐射:No,库...
CL05C2R2BB5NNNC
CL05C2R2BB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值2.2 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/- 0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C680JB5NNNC
CL05C680JB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值68 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
B45196H1156M209
B45196H1156M209,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 15 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 20%;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
T491A104K050AH7280
T491A104K050AH7280,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 0.1 uF;电压: 50 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 20 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-...
TLC541INE4
TLC541INE4,8位，40kSPS ADC串行输出，片上 12通道 模拟 Mux、11通道,由TI原厂生产,PDIP-20封装,参数为:分辨率:8 Bit,采样速率:40 ksps,ADC数量:1,模拟输入数量:11,架构:SAR,是否差分输入:No,数字接口类型:Serial (SPI),输入类型:Voltag...
G2R1ADC5BYOMI
G2R1ADC5BYOMI,继电器,SPST-NO,10A,5VDC,47Ohm,品牌:Omron,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:106 mA; 线圈电阻:47 Ohm; 触点材质:Silver; 最大额定AC交流电压:...
CCRT-33S1C-T
CCRT-33S1C-T,射频开关,RF Switch SPDT 0MHz to 18GHz 60dB,品牌:Teledyne Relays,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
G7L2ATUBJ80CBDC12
G7L2ATUBJ80CBDC12,继电器,DPST-NO,25A,12VDC,75Ohm,品牌:Omron,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPST-NO; 最大额定电流:25 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:158 mA; 线圈电阻:75 Ohm; 触点材质:Sil...
2SB1185
2SB1185,晶体管,三极管,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=70+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LM348-N
LM348-N,四路 741 运算放大器,TI原厂生产,SOIC-14,PDIP-14封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TAZG336K010CRSZ0000T
TAZG336K010CRSZ0000TR50,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: G型,参数:容值: 33 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 1.1 Ohm;外形尺寸: 6.73*2.79*2.79 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83...
CL31C020CBCNNNC
CL31C020CBCNNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值2 pF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
AX1000-2BG729I
AX1000-2BG729I,现场可编程门阵列(FPGA),612K Gates,12096 Cells,870MHz,0.15um (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,BGA-729封装,详细参数为:所属产品系列:Axcelerator,逻辑门数量(Gates):612000,...
NGD8201NT4G
NGD8201NT4G,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:440 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±15 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
1N5634A
1N5634A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9.4V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 96 A; 最大反向漏电流: 5...
VS-ST110S08P1V
VS-ST110S08P1V,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:110 A; 浪涌电流额定值:2830 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.52@350A V; 重复峰值断...
T491A104M035AT
T491A104M035AT,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 0.1 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 20 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389...
NSS40301MZ4T3G
NSS40301MZ4T3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:220@0.5A@1V|200@1A@1V|100@3A@1V; 最大工作频率:215(Typ) MHz; 最大...