OPA4244EA/250
OPA4244EA/250 ,MicroAmplifier(TM) 系列微功耗单电源运算放大器,TI原厂生产,TSSOP-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:0.43 MHz,典型转换速率:0.16@36V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:1.5@±7.5V mV,最大输入偏置电流:0.025...
MMDS25254HT1
MMDS25254HT1,其它射频IC,Advanced Doherty Alignment Module,品牌:Freescale,封装:32QFN EP,咨询购买请致电:0755-83897562
CWR29HC105KBAC
CWR29HC105KBAC,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: A型,参数:容值: 1 uF;电压: 15 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 7.5 Ohm;外形尺寸: 2.54*1.27*1.27 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
T494D686K006AT
T494D686K006AT,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 68 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.2 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838...
A3P600-PQG208
A3P600-PQG208,现场可编程门阵列(FPGA),600K Gates,231MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,PQFP-208封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC3,逻辑门数量(Gates):600000,系统门数量(System Gat...
LM358APE4
LM358APE4 ,双路运算放大器,TI原厂生产,PDIP-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:0.7 MHz,典型转换速率:0.3@±15V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:1.2@5V@0C to 70C mA,最大输入失调电压:3@30V mV,最大输入偏置电流:0.1@5V uA,典型输入...
T525B107M004ATE080
T525B107M004ATE080,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 100 uF;电压: 4 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.08 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755...
R570022035
R570022035,射频开关,RF Switch SPDT 0MHz to 3GHz 75dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
TPSB476M010R0650
TPSB476M010R0650,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 47 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.65 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838...
INA128PA
INA128PA ,高温精密低功耗仪表放大器。,TI原厂生产,PDIP-8封装,参数为:1 路仪器仪表放大器, 最低CMRR值:80 dB,电源类型:Dual,最小双电源电压:±2.25 V,最大双电源电压:±18 V,温度范围:-40 to 85 ℃，库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
T495D476K010AGE080
T495D476K010AGE080,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 47 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.08 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755...
TLC542IDW
TLC542IDW,8位25kSPS ADC串行输出，片上 12通道 模拟 Mux，11通道,由TI原厂生产,SOIC-20封装,参数为:分辨率:8 Bit,采样速率:25 ksps,ADC数量:1,模拟输入数量:11,架构:SAR,是否差分输入:No,数字接口类型:Serial (SPI),输入类型:Voltage,...
MMSTA92-7-F
MMSTA92-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|25@30mA@10V; 最大工作频率:50(Min) M...
P6KE400CA-T
P6KE400CA-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 342V 600W,品牌:Diodes,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 1.1 A; 最大反向漏电流: 5 u...
1.5KE75CAHE3
1.5KE75CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 64.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 14.6 A; 最大反向漏电流...
ADF7021BCPZ
ADF7021BCPZ,射频传感器,RF Transceiver FSK/MSK 3V,品牌:ADI(Analog Devices),封装:48LFCSP EP,库存实时更新,咨询购买请致电:0755-83897562
XC4044XL-2HQ304C
XC4044XL-2HQ304C,现场可编程门阵列(FPGA),44K Gates,3800 Cells,0.35um Technology,3.3V,由Xilinx原厂生产,HSPQFP-304 EP封装,详细参数为:所属产品系列:XC4000X,逻辑门数量(Gates):44000,逻辑单元数量(Cells):38...
252M-04LF
252M-04LF,射频IC,锁向环,PLL Clock Synthesizer Dual 0.314MHz to 200MHz,品牌:IDT,封装:8SOIC,咨询购买请致电:0755-83897562
P6SMB62AHE3
P6SMB62AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 53V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
BC80740MTF
BC80740MTF,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:250@100mA@1V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@...