CD74HC4051PWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用TSSOP-16封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74LVC1GU04GW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SOT353封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT91SAM7S64B-AU-001单片机,ARM核心微控制器由ATMEL原厂生产,采用QFP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74HCT574NSR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-20 5.2封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
ATMEGA162-16AU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,采用QFP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74HC161D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO-16封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74LVC1G07DBVR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SOT封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT89S8253-24AU单片机,低功耗高性能的CMOS 8位微控制器由ATMEL原厂生产,采用QFP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74LVC244AD低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO-20 7.2封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT24C16B-PU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用DIP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
24C128B-PU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用DIP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT29LV010A-12TU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
RB520S-40,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOD-523封装,参数为:Pd=150mW,Io=200mA,Vr=40V,Vf=0.55V,Ir=10uA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBZ5232BW,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=5.6V,Min=5.32V,Max=5.88V,Zzt=11欧姆,Zzk=1600欧姆,Ir=5uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84C16M,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-723封装,参数为:Pd=100mW,Nom=16V,Min=15.3V,Max=17.1V,Zzt=40欧姆,Zzk=200欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84C5V6,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=5.6V,Min=5.2V,Max=6V,Zzt=40欧姆,Zzk=400欧姆,Ir=1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84C3V3M,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-723封装,参数为:Pd=100mW,Nom=3.3V,Min=3.1V,Max=3.5V,Zzt=96欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=5uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84B33,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=33V,Min=32.34V,Max=33.66V,Zzt=80欧姆,Zzk=325欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84B39,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=39V,Min=38.22V,Max=39.78V,Zzt=130欧姆,Zzk=350欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84B27,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=27V,Min=26.46V,Max=27.54V,Zzt=80欧姆,Zzk=300欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBZ5248B,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=18V,Min=17.1V,Max=18.9V,Zzt=21欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52B18S,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=18V,Min=17.64V,Max=18.36V,Zzt=45欧姆,Zzk=225欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84B3V6,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=3.6V,Min=3.53V,Max=3.67V,Zzt=90欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=5uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BAS40-06T,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOT-523封装,参数为:Pd=150mW,Io=200mA,Vr=40V,Vf=1V,Ir=0.2uA,Trr=5nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1145,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=800mW,Ic=50mA,BVcbo=150V,BVceo=150V,BVebo=5V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=240,Vce(sat)=1V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SB709A,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=100mA,BVcbo=45V,BVceo=45V,BVebo=7V,hfe(Min)=160,hfe(Max)=460,Vce(sat)=0.5V,fr=60MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCW66,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=800mA,BVcbo=75V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=630,Vce(sat)=0.7V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC3303,贴片晶体管,三极管,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=5000mA,BVcbo=100V,BVceo=80V,BVebo=7V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.4V,fr=20+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC4177,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=150mW,Ic=100mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=90,hfe(Max)=600,Vce(sat)=0.3V,fr=250MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTA113ZE,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-523封装,参数为:Pd=150mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=33,Vo(on)=0.3V,R1=1K+欧姆,R2=10K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KSB811,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=350mW,Ic=1000mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=110+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SB1188,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=2000mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.8V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPSW51,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=1000mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.7V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCX69,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=800mW,Ic=1000mA,BVcbo=25V,BVceo=20V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=375,Vce(sat)=0.5V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD2012,贴片晶体管,三极管,TO-263-2L封装,参数为:Pcm=2mW,Ic=3mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=7V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=3+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD1761,晶体管,三极管,TO-220F封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=3000mA,BVcbo=80V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=8+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLB3034,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.7mOhms,Id=343A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6617,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET ST封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.1mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR9N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=380.0mOhms,Id=9.4A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML2246TRPBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=135.0mOhms,Qg Typ=2.9nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL7430,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.3mOhms,Id=409A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7809AV,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS3306,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.2mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL7833S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.8mOhms,Id=150A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF5210L,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=60.0mOhms,Qg Typ=120.0nC,Rth(JC)=0.75K/W,Power Dissipation@TC 25C=200W,Id@TC 25C=-40A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF5210S,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=60.0mOhms,Qg Typ=120.0nC,Rth(JC)=0.75K/W,Power Dissipation@TC 25C=170W,Id@TC 25C=-40A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFZ34N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=40mOhms,Id=18A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR9120N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=480.0mOhms,Qg Typ=18.0nC,Rth(JC)=3.2K/W,Power Dissipation@TC 25C=39W,Id@TC 25C=-6.5A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-VSKH26/12,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:ADD-A-PAK-5,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:27 A; 浪涌电流额定值:420 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.65 V; 重复峰值断态电流:15 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TISP4S040L1BJR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMB,参数:询报价及购买请致电:0755-83897562
MOCD213M,双通道光电晶体管输出光电耦合器,DC直流输入,由Fairchild原厂生产,SOIC-8封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-ST330S08P1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-118-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:330 A; 浪涌电流额定值:9420 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.52@1000A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TISP4350L3LM-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:DO-92-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:275 V; 最大保持电流:350 mA; 浪涌电流额定值:4 A; 重复峰值正向阻断电压:275 V; 峰值通态电压:3@5A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TISP7015DR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SOIC-8,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:8 V; 最大保持电流:30(Min) mA; 浪涌电流额定值:4 A; 重复峰值正向阻断电压:8 V; 峰值通态电压:4@5A V; 重复峰值断态电流:0.004 mA; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TYN1012RG,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1000 V; 最大保持电流:30 mA; 额定平均通态电流:8 A; 浪涌电流额定值:145 A; 重复峰值正向阻断电压:1000 V; 峰值通态电压:1.6@24A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:1.3 V; 最大门极触发电流:15 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-50RIA40,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-65-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:50 A; 浪涌电流额定值:1490 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.6@157A V; 重复峰值断态电流:15 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:100 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-VSKH142/12PBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:INT-A-PAK-5,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:140 A; 浪涌电流额定值:4712 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.55 V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-16TTS12-M3,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-220AB-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:150 mA; 额定平均通态电流:10 A; 浪涌电流额定值:200 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.4@10A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电压:2 V; 最大门极触发电流:60 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-VSKH71/12,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:ADD-A-PAK-5,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:250 mA; 额定平均通态电流:75 A; 浪涌电流额定值:1940 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.59 V; 重复峰值断态电流:15 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
FOD4216,随机相位无缓冲器可控硅驱动器,由Fairchild原厂生产,MDIP-6L封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRD20150CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pd=1.25W,Io=20A,Vr=150V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3060CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10100,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=100V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3040FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=40V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR20200FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=200V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR20100FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=100V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1040CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=40V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3035CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=35V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2060FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRB10100CT-B,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-263-2L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=100V,Vf=0.85V,Ir=0.05mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3050FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=50V,Vf=0.8V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2040FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=40V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DK2A-L2-24V,继电器,DPST-NO,8A,24VDC,2.88KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:DPST-NO; 最大额定电流:8 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:8.3 mA; 线圈电阻:2.88 KOhm; 触点材质:Silver Nickel/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:125 V; 工作温度:-40 to 65 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1FR24J,继电器,SPDT,20(NO)/10(NC)A,24VDC,287.2Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:20(NO)/10(NC) A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:84 mA; 线圈电阻:287.2 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ASX21006J,继电器,DPDT,0.01A,6VDC,1.029KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Sensitivity Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:0.01 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:5.8 mA; 线圈电阻:1.029 KOhm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定DC直流电压:10 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHN210X0J,继电器,DPDT,5A,100/110VAC,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:5 A; AC交流线圈电压:100|110 V; 线圈电流:9|10.6 mA; 触点材质:Silver Nickel/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ARA210A03J,继电器,DPDT,1A,3VDC,128.6Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Frequency Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:23.3 mA; 线圈电阻:128.6 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246-1000B1-48V-031M,继电器,DPDT,10A,48V,1KOhm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:48 V; 线圈电流:48 mA; 线圈电阻:1 KOhm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230-290C1-28V-017L,继电器,4PDT,10A,28V,290Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:96.55 mA; 线圈电阻:290 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
APF30309T015,继电器,SPDT,6A,9VDC,476Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:6 A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:18.9 mA; 线圈电阻:476 Ohm; 触点材质:Silver Nickel/Gold; 最大额定AC交流电压:250 V; 端子类型:PC Pin; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ66006J,继电器,DPST-NO,16A,6VDC,144Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:DPST-NO; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:41.7 mA; 线圈电阻:144 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ARJ22A24J,继电器,DPDT,0.3A,24VDC,3.84KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Frequency Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:0.3 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:6.3 mA; 线圈电阻:3.84 KOhm; 触点材质:Gold Plated; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-30 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AHFTR24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,287.2Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:84 mA; 线圈电阻:287.2 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ALQ112,继电器,SPDT,10(NO)/3(NC)A,12VDC,360Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:10(NO)|3(NC) A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:33.3 mA; 线圈电阻:360 Ohm; 触点材质:Silver/Nickel; 最大额定AC交流电压:250 V; 端子类型:PC Pin; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-3117-006GC,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,SOP-6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MQ-8,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP-18-DIP6封装,参数描述:高灵敏度!适用气体:氢气,煤制气.探测范围:100-10000ppm.特征气体:氢气800ppm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NPP-301B-700A,力敏传感器,由GE原厂生产,SO-8封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OS206,槽型开关,由CN原厂生产,GAP5-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,无固定孔,长14.0mm宽6.0mm高10.0mm,槽宽5mm,光缝宽0.5mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SS511AT,霍尔传感器,由HONEYWELL原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:双磁极开关,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A1321LUA,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:线性型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CS49E,霍尔传感器,由XJZXW原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3144EU,霍尔传感器,由ALLEGRO原厂生产,SIDE-DIP3封装,参数描述:类型:单磁极开关,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AH512,霍尔传感器,由AHNJ原厂生产,SIDE-DIP3封装,参数描述:频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-5000-200A,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,TOP9-DIP封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AH543,霍尔传感器,由CN原厂生产,SOT-89封装,参数描述:频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SPD100A,力敏传感器,由SAMARTEC原厂生产,SO-8封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BPV10NF,光电二极管,由VISHAY原厂生产,TOP5-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TFBS4650,红外数据头,由VISHAY原厂生产,6.8X2.8X封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TSHF5400,红外发射管,VISHAY原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RPM841H16,红外数据头,由ROHM原厂生产,6.8X1.5X封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BPW82,光电二极管,由VISHAY原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
S1136-44BQ,硅光电池管,由HAMAMATSU原厂生产,TOP8.1-DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN波长190-1100nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TSFF5410,红外发射管,VISHAY原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TLN223,红外发射管,TOSHIBA原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BPV22NF,光电二极管,由VISHAY原厂生产,SIDE-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SIR-563ST3F,红外发射管,ROHM原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PD15-22C/TR8,光电二极管,由EVERLIGHT原厂生产,TOP-SMD2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,贴片2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KOI-6005B,红外数据头,由KODENSHI原厂生产,DIP封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ICTE-15C, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 60 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 21.4 V; 最大反向关态电压: 15 V; 最小击穿电压: 17.6 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6158A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 35.8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.2 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 64.6 V; 最大反向关态电压: 35.8 V; 最小击穿电压: 44.7 V; 测试电流: 25 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP48CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 48V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 65 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 77.4 V; 最大反向关态电压: 48 V; 最小击穿电压: 53.3 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6163, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 56V 1.5KW,品牌:Semtech,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.9 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 108.1 V; 最大反向关态电压: 56 V; 最小击穿电压: 67.5 V; 测试电流: 20 mA; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP40CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 40V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 78 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 64.5 V; 最大反向关态电压: 40 V; 最小击穿电压: 44.4 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
TVS310SM, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 10V 150W,品牌:Microsemi,封装:2A-MELF,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 150 W; 最大峰值脉冲电流: 8.9 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 16.8 V; 最大反向关态电压: 10 V; 最小击穿电压: 11.1 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KA20HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 16.2V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 51.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 29.1 V; 最大反向关态电压: 16.2 V; 最小击穿电压: 18 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6286A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 59.3 V; 最大反向关态电压: 36.8 V; 最小击穿电压: 40.9 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
TVS505, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 5V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case B,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 53.7 A; 最大反向漏电流: 300 uA; 最大钳位电压: 9.3 V; 最大反向关态电压: 5 V; 最小击穿电压: 6 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6170A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 114V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.3 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 206.3 V; 最大反向关态电压: 114 V; 最小击穿电压: 142.5 V; 测试电流: 8 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP11A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 275 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 18.2 V; 最大反向关态电压: 11 V; 最小击穿电压: 12.2 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE350CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 300V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 3.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 482 V; 最大反向关态电压: 300 V; 最小击穿电压: 333 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C0R4BA3GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值0.4 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C561JCCNNNC,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值560 pF,电压100 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C271KIHNNNF,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值270 pF,电压1000 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.6 mm,精度± 10 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C620JB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值62 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C561JB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值560 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C111JB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值110 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C080DB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值8 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/-0.5 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C221JHFNNNF,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值220 pF,电压630 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C470GHFNNNF,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值47 pF,电压630 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度+/-2 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C100JB8NFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值10 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C150JCANNNC,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值15 pF,电压100 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C060CB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值6 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562