74HC4511D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO-16封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74HCT257D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO-20封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74HC126D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT89S52-24PU单片机,低功耗高性能的CMOS 8位微控制器由ATMEL原厂生产,采用DIP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
25040B-SSHL-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT25256AW-10SU2.7存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT24C32AN-10SU18存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74AHC04DR先进高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
ATMEGA32-16AU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,采用QFP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
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AZ23C6V2W,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=6.2V,Min=5.8V,Max=6.6V,Zzt=10欧姆,Zzk=200欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBZ5235BW,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=6.8V,Min=6.46V,Max=7.14V,Zzt=5欧姆,Zzk=750欧姆,Ir=3uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BAS70-05,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=200mW,Io=70mA,Vr=70V,Vf=1V,Ir=0.1uA,Trr=5nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AZ23C27,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=27V,Min=25.1V,Max=28.9V,Zzt=80欧姆,Zzk=250欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84C30T,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-523封装,参数为:Pd=150mW,Nom=30V,Min=28V,Max=32V,Zzt=80欧姆,Zzk=300欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BAV170,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=250mW,Io=125mA,Vr=75V,Vf=1.25V,Ir=0.005uA,Trr=3000nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SD103BW,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=400mW,Vr=30V,Vf=0.6V,Ir=5uA,Trr=10nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX784B5V1,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-723封装,参数为:Pd=100mW,Nom=5.1V,Min=5.2V,Max=5.2V,Zzt=60欧姆,Zzk=480欧姆,Ir=2uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BAV74,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=225mW,Io=200mA,Vr=50V,Vf=1V,Ir=0.1uA,Trr=4nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AZ23C30,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=30V,Min=28V,Max=32V,Zzt=80欧姆,Zzk=250欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52B24,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=350mW,Nom=24V,Min=23.52V,Max=24.48V,Zzt=70欧姆,Zzk=250欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DAP222M,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOT-723封装,参数为:Pd=150mW,Io=100mA,Vr=80V,Vf=1.2V,Ir=0.1uA,Trr=4nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1577,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=500mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.4V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC337,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=800mA,BVcbo=50V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=630,Vce(sat)=0.7V,fr=210MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CJ303NL,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=3000mA,BVcbo=50V,BVceo=35V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.15V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
S8550,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=500mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.6V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCX55,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=63,hfe(Max)=250,Vce(sat)=0.5V,fr=130MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CJP718,贴片晶体管,三极管,DFNWB2×2-3L(P0.65/0.75/0.85)封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=6000mA,BVcbo=25V,BVceo=20V,BVebo=7.5V,hfe(Min)=300,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.35V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS751,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=2000mA,BVcbo=80V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=75,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.5V,fr=75MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIP127,达林顿晶体管,由ST原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=5000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=1000,Vce(sat)=4V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KTD998,晶体管,三极管,TO-3P封装,参数为:Pcm=3000mW,Ic=10000mA,BVcbo=120V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=55,hfe(Max)=160,Vce(sat)=2.5V,fr=12+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FMMT591,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=250mW,Ic=1000mA,BVcbo=80V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.6V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC1627A,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=400mA,BVcbo=80V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.4V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MJE170,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=40V,BVebo=7V,hfe(Min)=50,hfe(Max)=250,Vce(sat)=1.7V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5302D,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6725M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.2mOhms,Id=170A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL1404,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.0mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9395M,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MC封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=11.9mOhms,Rth(JA)=60C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6662,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MZ封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=22.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF4905S,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=20.0mOhms,Qg Typ=120.0nC,Rth(JC)=0.75K/W,Power Dissipation@TC 25C=170W,Id@TC 25C=-74A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP4468,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.6mOhms,Id=290A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU13N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=235mOhms,Id=9.5A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS7762,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.7mOhms,Id=85A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR2908,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=80V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=28.0mOhms,Id=39A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLZ34N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=35.0mOhms,Id=27A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP9140N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=117.0mOhms,Qg Typ=64.7nC,Rth(JC)=1.3K/W,Power Dissipation@TC 25C=120W,Id@TC 25C=-21A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-ST300C18C1L,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:650 A; 浪涌电流额定值:8380 A; 重复峰值正向阻断电压:1800 V; 峰值通态电压:2.18@1635A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST223C04CFN1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:390 A; 浪涌电流额定值:6130 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.58@600A V; 重复峰值断态电流:40 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-25TTS12STRLPBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:D2PAK-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:100 mA; 额定平均通态电流:16 A; 浪涌电流额定值:350 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.25@16A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电压:2 V; 最大门极触发电流:45 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TN1625-1000G-TR,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1000 V; 最大保持电流:40 mA; 额定平均通态电流:10 A; 浪涌电流额定值:200 A; 重复峰值正向阻断电压:1000 V; 峰值通态电压:1.6@32A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:1.3 V; 最大门极触发电流:25 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST1230C12K0P,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:Case-2 A-24,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:1745 A; 浪涌电流额定值:35100 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.62@4000A V; 重复峰值断态电流:100 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TS820-600T,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:5 mA; 额定平均通态电流:5 A; 浪涌电流额定值:73 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.6@16A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:0.8 V; 最大门极触发电流:0.2 mA; 最大栅极峰值反向电压:8(Min) V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST300C12C1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:650 A; 浪涌电流额定值:8380 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:2.18@1635A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST183C08CFN1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:370 A; 浪涌电流额定值:5130 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.8@600A V; 重复峰值断态电流:40 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TISP7125F3PS,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:PDIP-8,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:100 V; 最大保持电流:150(Min) mA; 浪涌电流额定值:5.7 A; 重复峰值正向阻断电压:100 V; 峰值通态电压:5@5A V; 重复峰值断态电流:0.01 mA; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST333C08CFM1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:720 A; 浪涌电流额定值:11500 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.96@1810A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TISP4400H3BJR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMB-2,参数:询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST203C12CFJ0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:370 A; 浪涌电流额定值:5510 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.72@600A V; 重复峰值断态电流:40 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MBR20100FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=100V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRD10100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pd=1.25W,Io=10A,Vr=100V,Vf=0.85V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1035FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=35V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR30200FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=200V,Vf=1.1V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR30100PT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-3P封装,参数为:Pd=3.5W,Io=30A,Vr=100V,Vf=1.05V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10200FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=200V,Vf=1.1V,Ir=0.05mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10100,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=100V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3060CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR20150,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=150V,Vf=0.9V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRD10200CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pd=1.25W,Io=10A,Vr=200V,Vf=1.1V,Ir=0.05mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1090CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=90V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1050FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=50V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BR230-290C2-28V-020L,继电器,4PDT,10A,28V,290Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:96.55 mA; 线圈电阻:290 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246D-320B1-28V-020M,继电器,DPDT,10A,28V,320Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:87.5 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADY32024J,继电器,SPST-NO/SPST-NC,8A,24VDC,2.88KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO|SPST-NC; 最大额定电流:8 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:8.3 mA; 线圈电阻:2.88 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:380 V; 最大额定DC直流电压:125 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHN12148J,继电器,SPDT,10ADC/16AAC,48VDC,4.35KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:10DC|16AC A; DC直流线圈电压:48 V; 线圈电流:11 mA; 线圈电阻:4.35 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230-290C2-28V-037M,继电器,4PDT,10A,28V,290Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:96.55 mA; 线圈电阻:290 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ALFG2PF24,继电器,SPST-NO,31A,24VDC,410Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:31 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:59 mA; 线圈电阻:410 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 60 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ARE10A06J,继电器,SPDT,0.5A,6VDC,180Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Microwave Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:0.5 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:33.3 mA; 线圈电阻:180 Ohm; 触点材质:Gold Plated; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ24006J,继电器,SPST-NO,16A,6VDC,144Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:41.6 mA; 线圈电阻:144 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AD12J,继电器,SPST-NO,40A,12VDC,103Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:40 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:117 mA; 线圈电阻:103 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ARJ2212J,继电器,DPDT,0.3A,12VDC,960Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Frequency Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:0.3 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:12.5 mA; 线圈电阻:960 Ohm; 触点材质:Gold Plated; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-30 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230-290B2-28V-021L,继电器,4PDT,10A,28V,290Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:96.55 mA; 线圈电阻:290 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ASX210A24J,继电器,DPDT,0.01A,24VDC,11.52KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Sensitivity Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:0.01 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:2.1 mA; 线圈电阻:11.52 KOhm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定DC直流电压:10 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
MPXV4006DP,力敏传感器,由FREESCALE原厂生产,DIP4封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MQ-5,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP-18-DIP6封装,参数描述:高灵敏度!适用气体:液化气,甲烷,煤制气.探测范围:300-10000ppm.特征气体:异丁烷1000ppm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AH68,霍尔传感器,由AHNJ原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SPD002GA,力敏传感器,由SAMARTEC原厂生产,DIP5封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3280ELT-T,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SOT-89封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
R40-12A,声波传感器,由CN原厂生产,TOP-12-DIP2封装,参数描述:频率高,波长短,绕射现象小,方向性好,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ATS612,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:组合型带磁钢齿轮型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1S95J0000F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP1.6-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,微型无固定孔,长3.6mm宽3.4mm高4.7mm,槽宽1.6mm,光缝宽0.3mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SM5420C-100-A-H-T,力敏传感器,由SMI原厂生产,SMD8封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
H22B6,凹槽型开关,由FAIRCHILD原厂生产,GAP3.18-DIP封装,参数描述:高灵敏度,无固定孔,长11.6mm宽6.15mm高10.7mm,槽宽3.0mm,光缝宽1.0mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SS511AT,霍尔传感器,由HONEYWELL原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:双磁极开关,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3056LU,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP3封装,参数描述:类型:齿轮传感型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TMC-8D41-201,光电二极管,由TrueLight原厂生产,TOP-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TCZT8020-PARE,红外发射管,VISHAY原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MOFT3C3,光纤收发头,由UNI原厂生产,DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
21D982T,光电二极管,由PERKINELMER原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PD438C,光电二极管,由EVERLIGHT原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TLN225,红外发射管,TOSHIBA原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SPD500,硅光电池管,由CN原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN芯片4mmX4mm,方平,波长350-1050nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TLN108,红外发射管,TOSHIBA原厂生产,TOP4.7-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1FA352RZ,光纤收发头,由SHARP原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH213FA,光电二极管,由ORSAM原厂生产,TOP-5-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CND0214A,红外数据头,由PANASONIC原厂生产,8.2X2.05封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1FD300RK,光纤收发头,由SHARP原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE110AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 94V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 152 V; 最大反向关态电压: 94 V; 最小击穿电压: 105 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP90CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 90V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 31 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 160 V; 最大反向关态电压: 90 V; 最小击穿电压: 100 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
SA10ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 500W,品牌:ON,封装:2Case 59AA-01,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 29.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 17 V; 最大反向关态电压: 10 V; 最小击穿电压: 11.1 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE33CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28.2V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 32.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 45.7 V; 最大反向关态电压: 28.2 V; 最小击穿电压: 31.4 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
TVS328SM, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 28V 150W,品牌:Microsemi,封装:2A-MELF,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 150 W; 最大峰值脉冲电流: 3.2 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 46 V; 最大反向关态电压: 28 V; 最小击穿电压: 30.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6140A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.2V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 124 A; 最大反向漏电流: 100 uA; 最大钳位电压: 12.1 V; 最大反向关态电压: 6.2 V; 最小击穿电压: 7.79 V; 测试电流: 150 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6373-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 160 A; 最大反向漏电流: 300 uA; 最大钳位电压: 7.5 V; 最大反向关态电压: 5 V; 最小击穿电压: 6 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE27ARL4G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 23.1V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 40 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 37.5 V; 最大反向关态电压: 23.1 V; 最小击穿电压: 25.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP33AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 94 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 53.3 V; 最大反向关态电压: 33 V; 最小击穿电压: 36.7 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
TVS324SM, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 24V 150W,品牌:Microsemi,封装:2A-MELF,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 150 W; 最大峰值脉冲电流: 3.6 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 42 V; 最大反向关态电压: 24 V; 最小击穿电压: 28.4 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP150A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 150V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 20.6 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 243 V; 最大反向关态电压: 150 V; 最小击穿电压: 167 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
TMPG06-13AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11.1V 400W,品牌:Vishay,封装:2Case MPG06,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 22 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 18.2 V; 最大反向关态电压: 11.1 V; 最小击穿电压: 12.4 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C0R4BA3GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值0.4 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C300JB5NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值30 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C180JA3NNNC,超小尺寸C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值18 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度±5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C621JB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值620 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C030BB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/- 0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C3R3CBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3.3 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C332JHHNFNE,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3.3 nF,电压630 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.6 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C240JB8NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值24 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C6R8BB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值6.8 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/- 0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C471KBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值470 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度±10 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C3R3BA3GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3.3 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C3R9CB8NNNL,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3.9 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562