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MBR1070CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=70V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3045FCT
MBR3045FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=45V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1070FCT
MBR1070FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=70V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3045CT
MBR3045CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=45V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3060FCT
MBR3060FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRD10150CT
MBRD10150CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pd=1.25W,Io=10A,Vr=150V,Vf=1V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1030CT
MBR1030CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=30V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DS2Y-S-DC48V
DS2Y-S-DC48V,继电器,DPDT,2A,48VDC,7.68KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:48 V; 线圈电流:6.3 mA; 线圈电阻:7.68 KOhm; 触点材质:Silver/Gold Clad; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:220 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AEV52012
AEV52012,继电器,SPST-NO,20A,12VDC,36.7Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Compact Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:327 mA; 线圈电阻:36.7 Ohm; 最大额定DC直流电压:400 V; 端子类型:Quick Connect; 工作温度:-40 to 80 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AFTP12J
CB1AFTP12J,继电器,SPST-NO,40A,12VDC,103Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:40 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:117 mA; 线圈电阻:103 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGQ200A12Z
AGQ200A12Z,继电器,DPDT,2A,12VDC,1.028KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:11.7 mA; 线圈电阻:1.028 KOhm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGN20009J
AGN20009J,继电器,DPDT,1A,9VDC,579Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:15.5 mA; 线圈电阻:579 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230-290C2-28V-020M
BR230-290C2-28V-020M,继电器,4PDT,10A,28V,290Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:96.55 mA; 线圈电阻:290 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
EC2-5SNU
EC2-5SNU,继电器,DPDT,2A,5VDC,250Ohm,品牌:KEMET,参数:类型:Signal Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:20 mA; 线圈电阻:250 Ohm; 触点材质:Silver/ Gold; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:220 V; 端子类型:PC Pin; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ALZ12B05TWT
ALZ12B05TWT,继电器,SPDT,16A,5VDC,63Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:80 mA; 线圈电阻:63 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:440 V; 端子类型:PC Pin; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246-20C2-6V-004L
BR246-20C2-6V-004L,继电器,DPDT,10A,6V,20Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:300 mA; 线圈电阻:20 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ARE10A4HJ
ARE10A4HJ,继电器,SPDT,0.5A,4.5VDC,101Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Microwave Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:0.5 A; DC直流线圈电压:4.5 V; 线圈电流:44.4 mA; 线圈电阻:101 Ohm; 触点材质:Gold Plated; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1ATD24J
CB1ATD24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,320Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:75 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHN12124J
AHN12124J,继电器,SPDT,10ADC/16AAC,24VDC,1.09KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:10DC|16AC A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:22 mA; 线圈电阻:1.09 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
MQ-9
MQ-9,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP-18-DIP6封装,参数描述:高灵敏度!探测范围:10-1000ppm CO,100-10000ppm可燃气体.特征气体:一氧化碳100ppm,甲烷5000ppm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SM5112-150-AX
SM5112-150-AX,力敏传感器,由SMI原厂生产,SMD8封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1S02J0000F
GP1S02J0000F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,DIP4封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1S092HCPIF
GP1S092HCPIF,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP2.0-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TGS4160
TGS4160,气敏传感器,由FIGARO原厂生产,TOP9-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BPH-102
BPH-102,凹槽型开关,由BROTHER原厂生产,GAP14-DIP3封装,参数描述:高灵敏度,带连接器,槽宽14mm,光缝宽0.5mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
H22A5
H22A5,凹槽型开关,由FAIRCHILD原厂生产,GAP3.18-DIP封装,参数描述:高灵敏度,无固定孔,长11.6mm宽6.15mm高10.7mm,槽宽3.0mm,光缝宽1.0mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-5000-030A
MPS-5000-030A,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,TOP9-DIP封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A1305
A1305,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:线性型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SM5822
SM5822,力敏传感器,由SMI原厂生产,SMD-8封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1A05AJ000F
GP1A05AJ000F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP5.0-DIP3封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1A67L
GP1A67L,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP0.9-DIP5封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PLT532
PLT532,光纤收发头,由EVERLIGHT原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TSTS7101
TSTS7101,红外发射管,VISHAY原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1F595R
GP1F595R,光纤收发头,由SHARP原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HPI-23G
HPI-23G,光电二极管,由KODENSHI原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TM3202
TM3202,红外数据头,由EVERLIGHT原厂生产,DIP封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH486
SFH486,红外发射管,OSRAM原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GL382
GL382,红外发射管,SHARP原厂生产,TOP3-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VBP104FAS
VBP104FAS,硅光电池管,由VISHAY原厂生产,3X3-SMD2封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,贴片2PIN,波长780-1050nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1F351R
GP1F351R,光纤收发头,由SHARP原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
S268P
S268P,硅光电池管,由VISHAY原厂生产,TOP-DIP8封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IE-430F
IE-430F,红外发射管,WEITRONY原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH2500
SFH2500,光电二极管,由OSRAM原厂生产,TOP5-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KA39AHE3
1.5KA39AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33.3V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 27.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 53.9 V; 最大反向关态电压: 33.3 V; 最小击穿电压: 37.1 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE15CA-E3
1.5KE15CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 70.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 21.2 V; 最大反向关态电压: 12.8 V; 最小击穿电压: 14.3 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP180CE3
5KP180CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6292ARL4G
1N6292ARL4G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 64.1V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 14.6 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 103 V; 最大反向关态电压: 64.1 V; 最小击穿电压: 71.3 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6300A-E3
1N6300A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 136V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 219 V; 最大反向关态电压: 136 V; 最小击穿电压: 152 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE220CA-TR
1.5KE220CA-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 185V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.6 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 328 V; 最大反向关态电压: 185 V; 最小击穿电压: 209 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
15KP85CAE3/TR8
15KP85CAE3/TR8, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 85V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 109 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 137 V; 最大反向关态电压: 85 V; 最小击穿电压: 94.4 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
EPS12
EPS12, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 1KW,品牌:Microsemi,封装:2Case A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1000 W; 最大峰值脉冲电流: 40.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 21.6 V; 最大反向关态电压: 12 V; 最小击穿电压: 13.8 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE51A-E3
1.5KE51A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 43.6V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 21.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 70.1 V; 最大反向关态电压: 43.6 V; 最小击穿电压: 48.5 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE39A-E3
1.5KE39A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33.3V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 27.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 53.9 V; 最大反向关态电压: 33.3 V; 最小击穿电压: 37.1 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE33ARL4G
1.5KE33ARL4G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28.2V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 45.7 V; 最大反向关态电压: 28.2 V; 最小击穿电压: 31.4 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
PIP120
PIP120, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 170V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 11,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 47 A; 最大反向漏电流: 250 uA; 最大钳位电压: 319 V; 最大反向关态电压: 170 V; 最小击穿电压: 200 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C561JBANNND
CL21C561JBANNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值560 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C300JB8NNNC
CL10C300JB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值30 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C110JB8NNNC
CL10C110JB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值11 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C561JB8NNNL
CL10C561JB8NNNL,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值560 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C6R2CB5NNNC
CL05C6R2CB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值6.2 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C472JBFNFNE
CL21C472JBFNFNE,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值4.7 nF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度1.25 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C0R8BA3GNNH
CL03C0R8BA3GNNH,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值0.8 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21B472KBANNND
CL21B472KBANNND,通用X7R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值4.7 nF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/-10 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C060CB8NNNC
CL10C060CB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值6 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C470JB5NNNC
CL05C470JB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值47 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C102JDFNNNE
CL31C102JDFNNNE,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1 nF,电压200 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C101JCANNND
CL21C101JCANNND,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值100 pF,电压100 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562