24C01BN-SH-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT24C02B-PU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
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AT89S52-24AU单片机,低功耗高性能的CMOS 8位微控制器由ATMEL原厂生产,采用QFP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
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1N4148W,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=350mW,Io=150mA,Vr=75V,Vf=1.25V,Ir=1uA,Trr=4nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1N4148WS,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,参数为:Pd=200mW,Io=150mA,Vr=75V,Vf=1.25V,Ir=1uA,Trr=4nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1N4148WT,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOD-523封装,参数为:Pd=150mW,Io=125mA,Vr=75V,Vf=1.25V,Ir=1uA,Trr=4nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1N4448W,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=500mW,Io=250mA,Vr=75V,Vf=1.25V,Ir=2.5uA,Trr=4nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1N4448WS,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,参数为:Pd=200mW,Io=250mA,Vr=75V,Vf=1.25V,Ir=2.5uA,Trr=4nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1N4448WT,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOD-523封装,参数为:Pd=150mW,Io=125mA,Vr=100V,Vf=1.25V,Ir=1uA,Trr=4nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1N4448X,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOD-523封装,参数为:Pd=150mW,Io=250mA,Vr=100V,Vf=1V,Ir=0.025uA,Trr=4nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1SS181,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=150mW,Io=100mA,Vr=80V,Vf=1.2V,Ir=0.5uA,Trr=4nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1SS184,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=150mW,Io=100mA,Vr=80V,Vf=1.2V,Ir=0.5uA,Trr=4nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
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1SS190,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=150mW,Io=100mA,Vr=80V,Vf=1.2V,Ir=0.5uA,Trr=4nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1SS193,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=150mW,Io=100mA,Vr=80V,Vf=1.2V,Ir=0.5uA,Trr=4nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N3828,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=100mA,BVcbo=40V,BVceo=40V,BVebo=3V,hfe(Min)=30,hfe(Max)=200,Vce(sat)=0.3V,fr=360MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N3904,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=200mA,BVcbo=60V,BVceo=40V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.3V,fr=300MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N3906,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=200mA,BVcbo=40V,BVceo=40V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.4V,fr=250MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N4124,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=350mW,Ic=200mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=360,Vce(sat)=0.3V,fr=300MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N4126,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=200mA,BVcbo=25V,BVceo=25V,BVebo=4V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=360,Vce(sat)=0.4V,fr=250MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N4400,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=600mA,BVcbo=60V,BVceo=40V,BVebo=6V,hfe(Min)=50,hfe(Max)=150,Vce(sat)=0.75V,fr=200MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N4401,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=600mA,BVcbo=60V,BVceo=40V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.75V,fr=250MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N4402,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=600mA,BVcbo=40V,BVceo=40V,BVebo=5V,hfe(Min)=50,hfe(Max)=150,Vce(sat)=0.75V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N4403,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=600mA,BVcbo=40V,BVceo=40V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.75V,fr=200MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N5087,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=50mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=3V,hfe(Min)=250,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.3V,fr=40MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N5172,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=500mA,BVcbo=25V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=500,Vce(sat)=0.25V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N5400,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=600mA,BVcbo=130V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=180,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH8334PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9mOhms,Id=44A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3717PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.4mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLB8314,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=171A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML0030PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=27.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7457PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLMS1503PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8707PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.9mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8788PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.8mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7809AVPBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8113PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.6mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7831PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=3.6mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7811AVPBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MOC8050M,光敏达林顿管输出光电耦合器,无底座连接,由Fairchild原厂生产,DIP-6封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MOC8204M,高压光电晶体管输出光电耦合器,DC直流输入,由Fairchild原厂生产,DIP-6封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MOC8021M,光敏达林顿管输出光电耦合器,无底座连接,由Fairchild原厂生产,DIP-6封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MOC8106M,高BVceo光电晶体管输出光电耦合器,DC直流输入,由Fairchild原厂生产,DIP-6封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MOC205M,单通道光电晶体管输出光电耦合器,DC直流输入,由Fairchild原厂生产,SOIC-8封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MOC206M,单通道光电晶体管输出光电耦合器,DC直流输入,由Fairchild原厂生产,SOIC-8封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MOC207M,单通道光电晶体管输出光电耦合器,DC直流输入,由Fairchild原厂生产,SOIC-8封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MOC211M,单通道光电晶体管输出光电耦合器,DC直流输入,由Fairchild原厂生产,SOIC-8封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MOC212M,单通道光电晶体管输出光电耦合器,DC直流输入,由Fairchild原厂生产,SOIC-8封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MOC213M,单通道光电晶体管输出光电耦合器,DC直流输入,由Fairchild原厂生产,SOIC-8封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MOC216M,单通道光电晶体管输出光电耦合器,DC直流输入,由Fairchild原厂生产,SOIC-8封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MOC217M,单通道光电晶体管输出光电耦合器,DC直流输入,由Fairchild原厂生产,SOIC-8封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10100,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=100V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=100V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10100FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=100V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10150,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=150V,Vf=1V,Ir=0.009mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10150CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=150V,Vf=1V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10150FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=150V,Vf=1V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10200,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=200V,Vf=0.95V,Ir=0.009mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10200CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=200V,Vf=1.1V,Ir=0.05mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10200FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=200V,Vf=1.1V,Ir=0.05mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1030,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=30V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1030CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=30V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1030FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=30V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
065FD2C05,继电器,DPDT,0.5A,5VDC,120Ohm,品牌:Leach,参数:类型:Polarized and Non Latching Hermetically Sealed Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:0.5 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:41.67 mA; 线圈电阻:120 Ohm; 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
065FI2C12,继电器,DPDT,0.5A,12VDC,375Ohm,品牌:Leach,参数:类型:Polarized and Latching Hermetically Sealed Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:0.5 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:32 mA; 线圈电阻:375 Ohm; 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
065SI2C05,继电器,DPDT,0.5A,5VDC,65Ohm,品牌:Leach,参数:类型:Polarized and Latching Hermetically Sealed Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:0.5 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:76.92 mA; 线圈电阻:65 Ohm; 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
A-24W-K,继电器,DPDT,2A,24VDC,2.88KOhm,品牌:Fuji,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:8.33 mA; 线圈电阻:2.88 KOhm; 触点材质:Silver/Gold; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
A-3W-K,继电器,DPDT,2A,3VDC,64.3Ohm,品牌:Fuji,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:46.66 mA; 线圈电阻:64.3 Ohm; 触点材质:Silver/Gold; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
A-9W-K,继电器,DPDT,2A,9VDC,579Ohm,品牌:Fuji,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电阻:579 Ohm; 触点材质:Silver Alloy; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 端子类型:PC Pin; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ACJ2212-C,继电器,SPDT/SPDT,20/10A,12VDC,225Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPDT|SPDT; 最大额定电流:20(NO)|10(NC) A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:53.3 mA; 线圈电阻:225 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 端子类型:PC Pins; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ACJ5112P,继电器,SPDT/SPDT,20(NO)/10(NC)A,12VDC,180Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPDT|SPDT; 最大额定电流:20(NO)/10(NC) A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:66.7 mA; 线圈电阻:180 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ACNM1112,继电器,SPDT,30(NO)/15(NC)A,12VDC,225Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Middle Load Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:30(NO)/15(NC) A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:53.3 mA; 线圈电阻:225 Ohm; 触点材质:Silver Alloy; 最大额定DC直流电压:14 V; 端子类型:PC Pin; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ACT212,继电器,SPDT/SPDT,20(NO)/10(NC)A,12VDC,180Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPDT|SPDT; 最大额定电流:20(NO)/10(NC) A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:66.7 mA; 线圈电阻:180 Ohm; 触点材质:Silver; 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ACT212J,继电器,SPDT/SPDT,20(NO)/10(NC)A,12VDC,180Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPDT|SPDT; 最大额定电流:20(NO)|10(NC) A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:66.7 mA; 线圈电阻:180 Ohm; 触点材质:Silver Alloy; 最大额定DC直流电压:14 V; 端子类型:PC Pin; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ACT512,继电器,SPDT/SPDT,20(NO)/10(NC)A,12VDC,180Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPDT|SPDT; 最大额定电流:20(NO)/10(NC) A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:66.7 mA; 线圈电阻:180 Ohm; 触点材质:Silver; 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
GP1S51VJ000F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP3.0-DIP封装,参数描述:高灵敏度,侧固定孔,长12.2mm宽12.0mm高10.0mm,槽宽mm,光缝宽0.5mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1S52VJ000F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP3-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,无固定孔,长12.2mm宽5.0mm高10.0mm,槽宽3.0mm,光缝宽0.5mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1S53VJ000F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP5-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,无固定孔,长13.7mm宽5.0mm高10.0mm,槽宽5mm,光缝宽0.5mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1A51HRJ00F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP3.0-DIP5封装,参数描述:高精度施密特输出,无固定孔,长12.2mm宽12.0mm高10.0mm,槽宽mm,光缝宽0.5mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1A52HRJ00F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP3.0-DIP5封装,参数描述:高精度施密特输出,无固定孔,长12.2mm宽5.0mm高10.0mm,槽宽3.0mm,光缝宽0.5mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TCST1103,凹槽型开关,由VISHAY原厂生产,GAP3.0-DIP5封装,参数描述:高灵敏度,无固定孔,长11.9mm宽6.3mm高10.8mm,槽宽3.1mm,光缝宽0.6mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TCST2103,凹槽型开关,由VISHAY原厂生产,GAP3-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,无固定孔,长24.5mm宽6.3mm高10.8mm,槽宽3.1mm,光缝宽0.6mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RPI-352,凹槽型开关,由ROHM原厂生产,GAP3-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,微型无固定孔,长6.4mm宽4.2mm高5.4mm,槽宽3.0mm,光缝宽0.4mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RPI-221,凹槽型开关,由ROHM原厂生产,GAP2-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,微型无固定孔,长4.9mm宽2.6mm高3.3mm,槽宽2.0mm,光缝宽0.4mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RPI-222,凹槽型开关,由ROHM原厂生产,GAP2-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,微型无固定孔,长4.9mm宽2.6mm高3.3mm,槽宽2.0mm,光缝宽0.2mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SG-211V,凹槽型开关,由KODENSHI原厂生产,DIP4封装,参数描述:高灵敏度,微型无固定孔,长5.0mm宽4.0mm高5.2mm,槽宽2.0mm,光缝宽0.4mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1S94J0000F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GP3.5-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,微型无固定孔,长6.0mm宽3.4mm高5.2mm,槽宽3.5mm,光缝宽0.3mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BPW34,硅光电池管,由VISHAY原厂生产,TOP3X3-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,透明直插2脚,长5.1mm宽4.3mm高2.0mm,受光面积3X3mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BP104,硅光电池管,由VISHAY原厂生产,TOP-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,黑色直插2脚,长5.1mm宽4.3mm高2.0mm,受光面积3X3mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BPW21R,硅光电池管,由VISHAY原厂生产,3X3-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,金属直插2脚,Ф9.1X3.1mm,受光面积3X3mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BPW34S,硅光电池管,由OSRAM原厂生产,方型8.4X4.4X6.8,SMD-2封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,贴片2PIN芯片2.65mmX2.65mm,透明/波长400-1100nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BPW34BS,硅光电池管,由OSRAM原厂生产,TOP-SMD-2封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN芯片2.73mmX2.73mm,透明/波长350-1100nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH2430,硅光电池管,由OSRAM原厂生产,2.73X2.73-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,贴片2PIN芯片2.65mmX2.65mm,紫面400-900nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH206K,硅光电池管,由OSRAM原厂生产,2.65X2.65-SMD2封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN芯片4mmX4mm,国产400-1100nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KOM2125,硅光电池管,由OSRAM原厂生产,SIDE-SMD3封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,贴片3PIN,透明/波长400-1100nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KOM2125FA,硅光电池管,由OSRAM原厂生产,TOP-SMD-3封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,贴片3PIN,黑色/波长400-1100nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BPW34,硅光电池管,由OSRAM原厂生产,TOP-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN芯片2.65mmX2.65mm,透明/波长400-1100nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BPW34FA,硅光电池管,由OSRAM原厂生产,2.65X2.65-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN芯片2.65mmX2.65mm,黑色/波长740-1100nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BPW34FAS,硅光电池管,由OSRAM原厂生产,2.65X2.65-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,贴片2PIN芯片2.65mmX2.65mm,黑色/波长740-1100nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KA10AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.55V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 103 A; 最大反向漏电流: 20 uA; 最大钳位电压: 14.5 V; 最大反向关态电压: 8.55 V; 最小击穿电压: 9.5 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KA10HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 100 A; 最大反向漏电流: 20 uA; 最大钳位电压: 15 V; 最大反向关态电压: 8.1 V; 最小击穿电压: 9 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KA11AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9.4V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 96.2 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 15.6 V; 最大反向关态电压: 9.4 V; 最小击穿电压: 10.5 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KA12AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10.2V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 89.8 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 16.7 V; 最大反向关态电压: 10.2 V; 最小击穿电压: 11.4 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KA12HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9.72V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 86.7 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 17.3 V; 最大反向关态电压: 9.72 V; 最小击穿电压: 10.8 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KA13AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 82.4 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 18.2 V; 最大反向关态电压: 11.1 V; 最小击穿电压: 12.4 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KA15AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 70.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 21.2 V; 最大反向关态电压: 12.8 V; 最小击穿电压: 14.3 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KA15HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 68.2 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 22 V; 最大反向关态电压: 12.1 V; 最小击穿电压: 13.5 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KA16AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13.6V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 66.7 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 22.5 V; 最大反向关态电压: 13.6 V; 最小击穿电压: 15.2 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KA16HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12.9V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 63.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 23.5 V; 最大反向关态电压: 12.9 V; 最小击穿电压: 14.4 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KA18AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15.3V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 59.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 25.2 V; 最大反向关态电压: 15.3 V; 最小击穿电压: 17.1 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KA18HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 14.5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 56.6 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 26.5 V; 最大反向关态电压: 14.5 V; 最小击穿电压: 16.2 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C680JB8NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值68 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C562JB8NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值5.6 nF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C561JB8NNNL,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值560 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C561JB8NFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值560 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C471JB8NNWC,网络应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值470 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C470JC8NNNC,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值47 pF,电压100 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C391JB8NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值390 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C390JB8NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值39 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C390JB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值39 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C330JC8NNNC,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值33 pF,电压100 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C301JB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值300 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C270JB8NNNL,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值27 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562