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MBR1080FCT
MBR1080FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=80V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR4045CT
MBR4045CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=40A,Vr=45V,Vf=0.6V,Ir=1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1030FCT
MBR1030FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=30V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ23112J
ADJ23112J,继电器,SPST-NO,16A,12VDC,576Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:20.8 mA; 线圈电阻:576 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
DK1A1B-L2-3V
DK1A1B-L2-3V,继电器,SPST-NO/SPST-NC,8A,3VDC,45Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO|SPST-NC; 最大额定电流:8 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:66.6 mA; 线圈电阻:45 Ohm; 触点材质:Silver Nickel/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:125 V; 工作温度:-40 to 65 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADY10003J
ADY10003J,继电器,SPST-NO,10A,3VDC,45Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:66.6 mA; 线圈电阻:45 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:380 V; 最大额定DC直流电压:125 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ14006J
ADJ14006J,继电器,SPDT,16A,6VDC,144Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:41.6 mA; 线圈电阻:144 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AHFP24J
CB1AHFP24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,411Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:58 mA; 线圈电阻:411 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADW1112TW
ADW1112TW,继电器,SPST-NO,8A,12V,720Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:8 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:16.7 mA; 线圈电阻:720 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 端子类型:PC Pin; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AHR24J
CB1AHR24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,287.2Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:84 mA; 线圈电阻:287.2 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ALFG2PF24
ALFG2PF24,继电器,SPST-NO,31A,24VDC,410Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:31 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:59 mA; 线圈电阻:410 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 60 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246-320B1-28V-020M
BR246-320B1-28V-020M,继电器,DPDT,10A,28V,320Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:87.5 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
APF30312
APF30312,继电器,SPDT,6A,12VDC,847Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:6 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:14.2 mA; 线圈电阻:847 Ohm; 触点材质:Silver Nickel/Gold Plated; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AL-D5W-K
AL-D5W-K,继电器,DPDT,2A,5VDC,125Ohm,品牌:Fuji,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:40 mA; 线圈电阻:125 Ohm; 触点材质:Silver/Gold; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ALZ11B24
ALZ11B24,继电器,SPDT,16A,24VDC,1.44KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:16.7 mA; 线圈电阻:1.44 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:440 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
OJ-835201
OJ-835201,凹槽型开关,由ALEPH原厂生产,GAP3-DIP封装,参数描述:高灵敏,无固定孔,槽宽3mm,光缝宽0.5mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SS40AF
SS40AF,霍尔传感器,由HONEYWELL原厂生产,SIDE-DIP3封装,参数描述:类型:双磁极开关,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPXH6400AC6U
MPXH6400AC6U,力敏传感器,由FREESCALE原厂生产,SOP-8封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1S25J0000F
GP1S25J0000F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP1.6-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,贴片无固定孔,长3.85mm宽3.4mm高5.2mm,槽宽1.6mm,光缝宽0.3mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1S195HCZSF
GP1S195HCZSF,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP1.5-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AH3503
AH3503,霍尔传感器,由AHNJ原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SS497A
SS497A,霍尔传感器,由HONEYWELL原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:线性型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SS543AT
SS543AT,霍尔传感器,由HOENYWELL原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:单磁极开关,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MQ131
MQ131,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP18-DIP6封装,参数描述:高灵敏度!适用气体:臭氧.探测范围:10-500ppm O3. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
H22B
H22B,槽型开关,由CN原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,无固定孔,长14mm宽5.0mm高15.0mm,槽宽5mm,光缝宽0.8mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-1208-006G
MPS-1208-006G,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,SOP-6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1S196HCZ0F
GP1S196HCZ0F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP1.1-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,微型无固定孔,长3.1mm宽2.0mm高2.7mm,槽宽1.1mm,光缝宽0.3mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RPM872H14
RPM872H14,红外数据头,由ROHM原厂生产,6.8X1.5X封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH216
SFH216,光电二极管,由ORSAM原厂生产,TOP5-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HP-3ML
HP-3ML,硅光电池管,由KODENSHI原厂生产,TOP7.6-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,圆形直径7.6mm,直插2PIN,波长700-1050nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VTB8441BH
VTB8441BH,硅光电池管,由PERKINELMER原厂生产,TOP5X8-DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,圆形直插2PIN芯片5mmX8mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PD70-01C
PD70-01C,光电二极管,由EVERLIGHT原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,贴片2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HP-5FR2
HP-5FR2,光电二极管,由KODENSHI原厂生产,DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SLR935A-8K
SLR935A-8K,红外发射管,SANYO原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PD5850C
PD5850C,光电二极管,由EVERLIGHT原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TFDU4101
TFDU4101,红外数据头,由VISHAY原厂生产,8PIN封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PS5132
PS5132,光纤收发头,由STANLEY原厂生产,TOP-DIP2封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LP140
LP140,红外发射管,PANASONIC原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TSTA7100
TSTA7100,红外发射管,VISHAY原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE100A-E3
1.5KE100A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 85.5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 137 V; 最大反向关态电压: 85.5 V; 最小击穿电压: 95 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
EPS8
EPS8, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8V 1KW,品牌:Microsemi,封装:2Case A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1000 W; 最大峰值脉冲电流: 62.1 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 13.7 V; 最大反向关态电压: 8 V; 最小击穿电压: 9 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
TVS310SM
TVS310SM, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 10V 150W,品牌:Microsemi,封装:2A-MELF,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 150 W; 最大峰值脉冲电流: 8.9 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 16.8 V; 最大反向关态电压: 10 V; 最小击穿电压: 11.1 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6267A-E3
1N6267A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 143 A; 最大反向漏电流: 1000 uA; 最大钳位电压: 10.5 V; 最大反向关态电压: 5.8 V; 最小击穿电压: 6.45 V; 测试电流: 10 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP70CE3
5KP70CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 70V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 40 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 125 V; 最大反向关态电压: 70 V; 最小击穿电压: 77.8 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP48CAE3
5KP48CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 48V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 65 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 77.4 V; 最大反向关态电压: 48 V; 最小击穿电压: 53.3 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6149A
1N6149A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15.2V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 54.2 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 27.7 V; 最大反向关态电压: 15.2 V; 最小击穿电压: 19 V; 测试电流: 65 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
TVS305
TVS305, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 5V 150W,品牌:Microsemi,封装:2Case A,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 150 W; 最大峰值脉冲电流: 17 A; 最大反向漏电流: 50 uA; 最大钳位电压: 8.7 V; 最大反向关态电压: 5 V; 最小击穿电压: 6 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE8.2CA-E3
1.5KE8.2CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.02V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 124 A; 最大反向漏电流: 400 uA; 最大钳位电压: 12.1 V; 最大反向关态电压: 7.02 V; 最小击穿电压: 7.79 V; 测试电流: 10 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CD0603-T24C
CD0603-T24C, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 24V,品牌:Bourns,封装:2Case 0603,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 最大峰值脉冲电流: 1 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 47 V; 最大反向关态电压: 24 V; 最小击穿电压: 25 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -40 to 125 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KA30HE3
1.5KA30HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24.3V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 34.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 43.5 V; 最大反向关态电压: 24.3 V; 最小击穿电压: 27 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE18CAHE3
1.5KE18CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15.3V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 59.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 25.2 V; 最大反向关态电压: 15.3 V; 最小击穿电压: 17.1 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C2R7BB5NNND
CL05C2R7BB5NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值2.7 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/- 0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C510JBCNNNC
CL31C510JBCNNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值51 pF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C1R6BA3GNNC
CL03C1R6BA3GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.6 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C120JB8NNND
CL10C120JB8NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值12 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C680JHFNNNE
CL31C680JHFNNNE,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值68 pF,电压630 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C3R9BB8NNNC
CL10C3R9BB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3.9 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/- 0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C8R2CBANNND
CL21C8R2CBANNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值8.2 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C470JC8NNNC
CL10C470JC8NNNC,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值47 pF,电压100 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C221JBANNNC
CL21C221JBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值220 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C152JB8NFNC
CL10C152JB8NFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.5 nF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C3R9BA3GNNH
CL03C3R9BA3GNNH,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3.9 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C680JBANFNC
CL21C680JBANFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值68 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562