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MBR30200CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=200V,Vf=1.1V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1070CT
MBR1070CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=70V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1050CT
MBR1050CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=50V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2045FCT
MBR2045FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=45V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR860
MBR860,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=8A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AGN21024J
AGN21024J,继电器,DPDT,1A,24VDC,4.8KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:5 mA; 线圈电阻:4.8 KOhm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHN110X1J
AHN110X1J,继电器,SPDT,10ADC/16AAC,110/120VAC,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:10DC|16AC A; AC交流线圈电压:110|120 V; 线圈电流:8.2|9.7 mA; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGQ200A4H
AGQ200A4H,继电器,DPDT,2A,4.5VDC,145Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:4.5 V; 线圈电流:31 mA; 线圈电阻:145 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
DE1A1B-L2-24V
DE1A1B-L2-24V,继电器,SPST-NO/SPST-NC,8A,24VDC,2.88KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO|SPST-NC; 最大额定电流:8 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:8.3 mA; 线圈电阻:2.88 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:440 V; 最大额定DC直流电压:230 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AHTR24J
CB1AHTR24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,287.2Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:84 mA; 线圈电阻:287.2 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ALZ52B05TW
ALZ52B05TW,继电器,SPST-NO,16A,5VDC,63Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:80 mA; 线圈电阻:63 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:440 V; 端子类型:PC Pin; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1RM12J
CB1RM12J,继电器,SPDT,40(NO)/30(NC)A,12VDC,89.5Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:40(NO)/30(NC) A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:134 mA; 线圈电阻:89.5 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ62048J
ADJ62048J,继电器,DPST-NO,16A,48VDC,15.36KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:DPST-NO; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:48 V; 线圈电流:3.125 mA; 线圈电阻:15.36 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHN22305J
AHN22305J,继电器,DPDT,5A,5VDC,47Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:5 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:106.4 mA; 线圈电阻:47 Ohm; 触点材质:Silver Nickel/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ACJ5112P
ACJ5112P,继电器,SPDT/SPDT,20(NO)/10(NC)A,12VDC,180Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPDT|SPDT; 最大额定电流:20(NO)/10(NC) A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:66.7 mA; 线圈电阻:180 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ64005J
ADJ64005J,继电器,DPST-NO,16A,5VDC,100Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:DPST-NO; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:50 mA; 线圈电阻:100 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHN210X0J
AHN210X0J,继电器,DPDT,5A,100/110VAC,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:5 A; AC交流线圈电压:100|110 V; 线圈电流:9|10.6 mA; 触点材质:Silver Nickel/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
MH-Z14
MH-Z14,气敏传感器,由CN原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CZ686
CZ686,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP18-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RPI-303
RPI-303,凹槽型开关,由ROHM原厂生产,GAP3-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,微型无固定孔. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A1102
A1102,霍尔传感器,由ALLEGRO原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:单磁极开关,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GSEP-2112
GSEP-2112,凹槽型开关,由BROTHER原厂生产,GAP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SS495A1
SS495A1,霍尔传感器,由HONEYWELL原厂生产,SIDE-DIP3封装,参数描述:类型:线性型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RPI-125
RPI-125,凹槽型开关,由ROHM原厂生产,DIP4封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ME2-CO
ME2-CO,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP31-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-5000-500A
MPS-5000-500A,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,TOP9-DIP封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A1212EUA-T
A1212EUA-T,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
H92B4
H92B4,槽型开关,由CN原厂生产,GAP6-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,无固定孔,长12.0mm宽6.0mm高11.0mm,槽宽4mm,光缝宽0.8mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
WG312
WG312,霍尔传感器,由AHNJ原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TMC-1C55-640
TMC-1C55-640,光电二极管,由TrueLight原厂生产,TOP-DIP5封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HPI-2FFR4
HPI-2FFR4,光电二极管,由KODENSHI原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PD15-22B/TR8
PD15-22B/TR8,光电二极管,由EVERLIGHT原厂生产,TOP-SMD2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,贴片2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PD438B
PD438B,光电二极管,由EVERLIGHT原厂生产,SIDE-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP2W0002YP
GP2W0002YP,红外数据头,由SHARP原厂生产,SMD-8封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SP12C
SP12C,硅光电池管,由CN原厂生产,TOP3X3-DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN芯片3mmX3mm,圆头,波长350-1050nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LST2626-D/AT
LST2626-D/AT,光纤收发头,由EVERLIGHT原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PD49PI
PD49PI,光电二极管,由SHARP原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TFBS5700
TFBS5700,红外数据头,由VISHAY原厂生产,6PIN封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TLOH9203
TLOH9203,红外发射管,TOSHIBA原厂生产,TOP-SMD6封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BPV23NF
BPV23NF,光电二极管,由VISHAY原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SP08B
SP08B,硅光电池管,由CN原厂生产,TOP4X4-DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN芯片4mmX4mm,圆平,波长350-1050nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1N6287A-E3
1N6287A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40.2V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 64.8 V; 最大反向关态电压: 40.2 V; 最小击穿电压: 44.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
SA15ARLG
SA15ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 500W,品牌:ON,封装:2Case 59AA-01,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 20.6 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 24.4 V; 最大反向关态电压: 15 V; 最小击穿电压: 16.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6377RL4G
1N6377RL4G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 10 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 20.6 V; 最大反向关态电压: 15 V; 最小击穿电压: 17.6 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP36CE3
5KP36CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 78 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 64.3 V; 最大反向关态电压: 36 V; 最小击穿电压: 40 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE15CA-E3
1.5KE15CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 70.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 21.2 V; 最大反向关态电压: 12.8 V; 最小击穿电压: 14.3 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KA27AHE3
1.5KA27AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 23.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 40 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 37.5 V; 最大反向关态电压: 23.1 V; 最小击穿电压: 25.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE180A-E3
1.5KE180A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 154V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 246 V; 最大反向关态电压: 154 V; 最小击穿电压: 171 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE10AHE3
1.5KE10AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.55V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 103 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 14.5 V; 最大反向关态电压: 8.55 V; 最小击穿电压: 9.5 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE27CA
1.5KE27CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 23.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 40 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 37.5 V; 最大反向关态电压: 23.1 V; 最小击穿电压: 25.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP160AE3
5KP160AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5R,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6289ARL4G
1N6289ARL4G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 47.8V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.5 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 77 V; 最大反向关态电压: 47.8 V; 最小击穿电压: 53.2 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP26AHE3
5KP26AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 26V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 119 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 42.1 V; 最大反向关态电压: 26 V; 最小击穿电压: 28.9 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C220JHFNNNE
CL31C220JHFNNNE,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值22 pF,电压630 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C8R2CB8NNND
CL10C8R2CB8NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值8.2 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C301JBANNNC
CL21C301JBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值300 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C331GBANNNC
CL21C331GBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值330 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 2 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C122JBCNNNC
CL31C122JBCNNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.2 nF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C120JC8NNNC
CL10C120JC8NNNC,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值12 pF,电压100 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C271JHFNNNE
CL31C271JHFNNNE,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值270 pF,电压630 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C010CA3GNNC
CL03C010CA3GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C561JCCNNNC
CL21C561JCCNNNC,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值560 pF,电压100 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C7R5CB8NNNC
CL10C7R5CB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值7.5 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C181JHFNNNE
CL31C181JHFNNNE,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值180 pF,电压630 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL02C180JO2NNNC
CL02C180JO2NNNC,超小尺寸C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值18 pF,电压16 Vdc,封装尺寸0.4 x 0.2mm (01005),厚度0.2 mm,精度±5 %.咨询购买请致电:0755-83897562