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【保护器件(TVS-ESD)】RSB6.8STE61
RSB6.8STE61,ESD静电抑制器,品牌:Rohm,封装:EMD-2,参数:引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; 最大工作电压:7.82 V; 最大漏电流:0.5 uA; 电容值:30 pF; 最低工作温度:-55 ℃; 最大工作温度:150 ℃; 安装方式:Surfac... -
【保护器件(TVS-ESD)】RSBC6.8CST2RA
RSBC6.8CST2RA,稳压型ES抑制器,品牌:Rohm,封装:VMN-2,参数:类型:Zener; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; 最大漏电流:0.5 uA; 电容值:1(Typ) pF; 最低工作温度:-55 ℃; 最大工作温度:150 ℃; 安装方式:Surfa... -
【保护器件(TVS-ESD)】SESD0402X1BN-0010-098
SESD0402X1BN-0010-098,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TE,封装:DFN-2,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:10 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:20@Air Gap/20@Contact Disc ... -
【保护器件(TVS-ESD)】SESD0802Q4UG-0020-090
SESD0802Q4UG-0020-090,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TE,封装:DFN-5,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:5; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:9.2 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:20@Air Gap/20@Contact Dis... -
【保护器件(TVS-ESD)】SR2.8.TCT
SR2.8.TCT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SOT-143-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:8.5 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc ... -
【保护器件(TVS-ESD)】STIEC45-28AS
STIEC45-28AS,ESD静电抑制器,品牌:STMicroelectronics,封装:DO-214AB-2,参数:引脚数量:2; 最大钳位电压:49 V; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc/25@HBM KV; 最大工作电压:28 V; 最大漏电流:0.2 uA; 最低工作温度... -
【保护器件(TVS-ESD)】SZQA6V8XV5T1G
SZQA6V8XV5T1G,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:SOT-523-5,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Quad; 引脚数量:5; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:12.5 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:16@Air Gap|9@Contac... -
【保护器件(TVS-ESD)】TPD8S009DSMR
TPD8S009DSMR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:WSON-15,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:15; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:8; ESD保护电压:±9@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.5 V; ... -
【保护器件(TVS-ESD)】ZEN132V075A48LS
ZEN132V075A48LS,聚合物ESD静电抑制器,品牌:TE,封装:3-Pin,参数:类型:Polymer; 引脚数量:3; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:15@HBM kV; 电容值:4200(Typ) pF; 最低工作温度:-40 ℃; 最大工作温度:85 ℃; 安装方式:Screw. 库存实时更新,... -
【可控硅(晶闸管)】VS-ST380C06C0L
VS-ST380C06C0L,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:960 A; 浪涌电流额定值:15700 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.6@3000A V; 重... -
【可控硅(晶闸管)】VS-ST380C06C1
VS-ST380C06C1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:960 A; 浪涌电流额定值:15700 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.6@3000A V; 重复... -
【可控硅(晶闸管)】VS-ST380CH04C0
VS-ST380CH04C0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:960 A; 浪涌电流额定值:13000 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.58@2900A V; ... -
【可控硅(晶闸管)】VS-ST380CH04C0L
VS-ST380CH04C0L,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:960 A; 浪涌电流额定值:13000 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.58@2900A V;... -
【可控硅(晶闸管)】VS-ST380CH04C1
VS-ST380CH04C1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:960 A; 浪涌电流额定值:13000 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.58@2900A V; ... -
【可控硅(晶闸管)】VS-ST380CH06C0
VS-ST380CH06C0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:960 A; 浪涌电流额定值:13000 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.58@2900A V; ... -
【可控硅(晶闸管)】VS-ST380CH06C1
VS-ST380CH06C1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:960 A; 浪涌电流额定值:13000 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.58@2900A V; ... -
【可控硅(晶闸管)】VS-ST700C18L0
VS-ST700C18L0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:910 A; 浪涌电流额定值:16400 A; 重复峰值正向阻断电压:1800 V; 峰值通态电压:1.8@2000A V; ... -
【可控硅(晶闸管)】VS-ST700C18L1
VS-ST700C18L1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:910 A; 浪涌电流额定值:16400 A; 重复峰值正向阻断电压:1800 V; 峰值通态电压:1.8@2000A V; ... -
【可控硅(晶闸管)】VS-ST730C08L0
VS-ST730C08L0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:990 A; 浪涌电流额定值:18700 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.62@2000A V; 重... -
【可控硅(晶闸管)】VS-ST730C08L1
VS-ST730C08L1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:990 A; 浪涌电流额定值:18700 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.62@2000A V; 重...