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【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ58CAE3
SMAJ58CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.3 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ58AE3
SMAJ58AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.3 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ48E3
SMAJ48E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 48V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ48CE3
SMAJ48CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 48V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ48CAE3
SMAJ48CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 48V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.5 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ48AE3
SMAJ48AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 48V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.5 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ28E3
SMAJ28E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.9 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ28CE3
SMAJ28CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.9 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ28CAE3
SMAJ28CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 11 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ28AE3
SMAJ28AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 11 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ18E3
SMAJ18E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 15.5 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ18CE3
SMAJ18CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 15.5 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ18CAE3
SMAJ18CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.2 A; 最大反向漏电流... -
【保护器件(TVS-ESD)】SMAJ18AE3
SMAJ18AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.2 A; 最大反向漏电... -
【保护器件(TVS-ESD)】P4SMA480AHE3_A/I
P4SMA480AHE3_A/I, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 408V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 0... -
【保护器件(TVS-ESD)】P4KE8.2D-E3
P4KE8.2D-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.02V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-41,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 33.6 A; 最大反向漏电流:... -
【保护器件(TVS-ESD)】P4KE6.8D-E3
P4KE6.8D-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.8V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-41,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 38.5 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】P4KE6.8CAE3
P4KE6.8CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.8V 400W,品牌:Microsemi,封装:DO-41,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 38 A; 最大反向漏电流: 5... -
【保护器件(TVS-ESD)】P4KE6.8AE3
P4KE6.8AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.8V 400W,品牌:Microsemi,封装:DO-41,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 38 A; 最大反向漏电流: ... -
【保护器件(TVS-ESD)】P4KE18D-E3
P4KE18D-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15.3V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-41,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 16.1 A; 最大反向漏电流: ...