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【功率晶体管】MJE2955T
MJE2955T,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:20@4A@4V|5@10A@4V; 最大工作频率:2(Min) MHz; 最大集电极发射极... -
【功率晶体管】MJD45H11T4-A
MJD45H11T4-A,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8A V; ... -
【功率晶体管】MJD45H11T4
MJD45H11T4,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8A V; 最大... -
【功率晶体管】MJD350T4
MJD350T4,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@10V; 最大集电极基极电压:300 V; 工作温度:-65 to 150 ... -
【功率晶体管】MJD350T4
MJD350T4,功率晶体管,品牌:ST Micro,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@10V; 最大集电极基极电压:300 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:... -
【功率晶体管】MJD350-13
MJD350-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@10V; 最大集电极基极电压:300 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:1... -
【功率晶体管】MJD3055T4
MJD3055T4,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:20@4A@4V|5@10A@4V; 最大工作频率:2(Min) MHz; 最大集电极发射极饱... -
【功率晶体管】MJD2955T4
MJD2955T4,功率晶体管,品牌:ST Micro,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:20@4A@4V|5@10A@4V; 最大工作频率:2(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@0.... -
【功率晶体管】LM395T/NOPB
LM395T/NOPB,功率晶体管,品牌:TI,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:36 V; 最大集电极基极电压:36 V; 工作温度:0 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562 -
【功率晶体管】LM395T/ELLI326
LM395T/ELLI326,功率晶体管,品牌:TI,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:36 V; 最大集电极基极电压:36 V; 工作温度:0 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562 -
【功率晶体管】LM395T
LM395T,功率晶体管,品牌:TI,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:36 V; 最大集电极基极电压:36 V; 工作温度:0 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562 -
【功率晶体管】LM195H/883
LM195H/883,功率晶体管,品牌:TI,封装:TO-39-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:42 V; 最大集电极基极电压:42 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562 -
【功率晶体管】LBN150B01-7
LBN150B01-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-26-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:105@100uA@1V|110@1mA@1V|120@10mA@1V|90@50mA@1V|32@... -
【可控硅(晶闸管)】TISP4350H3BJR-S
TISP4350H3BJR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:275 V; 最大保持电流:600 mA; 浪涌电流额定值:500 A; 重复峰值正向阻断电压:275 V; 峰值通态电压:3@5A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40... -
【可控硅(晶闸管)】TISP4350H3LM-S
TISP4350H3LM-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:DO-92-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:275 V; 最大保持电流:600 mA; 浪涌电流额定值:60 A; 重复峰值正向阻断电压:275 V; 峰值通态电压:3@5A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40... -
【可控硅(晶闸管)】TISP4350J1BJR-S
TISP4350J1BJR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:275 V; 最大保持电流:20(Min) mA; 浪涌电流额定值:100 A; 重复峰值正向阻断电压:275 V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 to 150 ℃; ... -
【可控硅(晶闸管)】TISP4350J3BJR-S
TISP4350J3BJR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:275 V; 最大保持电流:600 mA; 浪涌电流额定值:50 A; 重复峰值正向阻断电压:275 V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:... -
【可控硅(晶闸管)】TISP4350L3BJRS
TISP4350L3BJRS,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:275 V; 最大保持电流:350 mA; 浪涌电流额定值:13 A; 重复峰值正向阻断电压:275 V; 峰值通态电压:3@5A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 t... -
【可控硅(晶闸管)】TISP4350L3LM-S
TISP4350L3LM-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:DO-92-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:275 V; 最大保持电流:350 mA; 浪涌电流额定值:4 A; 重复峰值正向阻断电压:275 V; 峰值通态电压:3@5A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 ... -
【可控硅(晶闸管)】TISP4350M3AJR-S
TISP4350M3AJR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMA-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:275 V; 最大保持电流:350 mA; 浪涌电流额定值:24 A; 重复峰值正向阻断电压:275 V; 峰值通态电压:3@5A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 ...